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WS1M32V-17G3M

产品描述SRAM Module, 1MX32, 17ns, CMOS, CQFP84, 28 MM, CERAMIC, QFP-84
产品类别存储    存储   
文件大小310KB,共6页
制造商White Electronic Designs Corporation
官网地址http://www.wedc.com/
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WS1M32V-17G3M在线购买

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WS1M32V-17G3M概述

SRAM Module, 1MX32, 17ns, CMOS, CQFP84, 28 MM, CERAMIC, QFP-84

WS1M32V-17G3M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称White Electronic Designs Corporation
包装说明28 MM, CERAMIC, QFP-84
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间17 ns
其他特性USER CONFIGURABLE AS 2M X 16 OR 4M X 8
JESD-30 代码R-CQFP-G84
JESD-609代码e0
长度27.18 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端子数量84
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX32
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QFP
封装等效代码QFP84,1.2SQ,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.065 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度27.18 mm
Base Number Matches1

WS1M32V-17G3M相似产品对比

WS1M32V-17G3M WS1M32V-25G3MA WS1M32V-17G3IA WS1M32V-20G3IA WS1M32V-20G3MA
描述 SRAM Module, 1MX32, 17ns, CMOS, CQFP84, 28 MM, CERAMIC, QFP-84 SRAM Module, 1MX32, 25ns, CMOS, CQFP84, 28 MM, CERAMIC, QFP-84 SRAM Module, 1MX32, 17ns, CMOS, CQFP84, 28 MM, CERAMIC, QFP-84 SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, CQFP84, 28 MM, CERAMIC, QFP-84 SRAM Module, 1MX32, 20ns, CMOS, CQFP84, 28 MM, CERAMIC, QFP-84
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 28 MM, CERAMIC, QFP-84 28 MM, CERAMIC, QFP-84 28 MM, CERAMIC, QFP-84 28 MM, CERAMIC, QFP-84 28 MM, CERAMIC, QFP-84
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 17 ns 25 ns 17 ns 20 ns 20 ns
其他特性 USER CONFIGURABLE AS 2M X 16 OR 4M X 8 USER CONFIGURABLE AS 2M X 16 OR 4M X 8 USER CONFIGURABLE AS 2M X 16 OR 4M X 8 USER CONFIGURABLE AS 2M X 16 OR 4M X 8 USER CONFIGURABLE AS 2M X 16 OR 4M X 8
JESD-30 代码 R-CQFP-G84 R-CQFP-G84 R-CQFP-G84 R-CQFP-G84 R-CQFP-G84
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 27.18 mm 27.18 mm 27.18 mm 27.18 mm 27.18 mm
内存密度 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 84 84 84 84 84
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 85 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -40 °C -40 °C -55 °C
组织 1MX32 1MX32 1MX32 1MX32 1MX32
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QFP QFP QFP QFP QFP
封装等效代码 QFP84,1.2SQ,50 QFP84,1.2SQ,50 QFP84,1.2SQ,50 QFP84,1.2SQ,50 QFP84,1.2SQ,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm
最大待机电流 0.065 A 0.065 A 0.065 A 0.065 A 0.065 A
最小待机电流 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大压摆率 0.6 mA 0.6 mA 0.6 mA 0.6 mA 0.6 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 27.18 mm 27.18 mm 27.18 mm 27.18 mm 27.18 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1
厂商名称 White Electronic Designs Corporation - - White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation

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