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SN75374N

产品描述Quadruple MOSFET Drivers 16-PDIP 0 to 70
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小527KB,共19页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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SN75374N概述

Quadruple MOSFET Drivers 16-PDIP 0 to 70

SN75374N规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP16,.3
针数16
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性ALSO REQUIRES 24V SUPPLY
高边驱动器YES
输入特性STANDARD
接口集成电路类型NAND GATE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-PDIP-T16
JESD-609代码e4
长度19.305 mm
功能数量4
端子数量16
最高工作温度70 °C
最低工作温度
输出特性TOTEM-POLE
最大输出电流0.5 A
标称输出峰值电流0.5 A
输出极性INVERTED
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大压摆率47 mA
最大供电电压5.25 V
最小供电电压4.75 V
标称供电电压5 V
电源电压1-最大24 V
电源电压1-分钟4.75 V
电源电压1-Nom20 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级COMMERCIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
断开时间0.05 µs
接通时间0.06 µs
宽度7.62 mm

SN75374N相似产品对比

SN75374N SN75374D SN75374DR SN75374DRE4 SN75374DE4 SN75374DG4 SN75374DRG4
描述 Quadruple MOSFET Drivers 16-PDIP 0 to 70 Quadruple MOSFET Drivers 16-SOIC 0 to 70 Quadruple MOSFET Drivers 16-SOIC 0 to 70 Quadruple MOSFET Drivers 16-SOIC 0 to 70 Quadruple MOSFET Drivers 16-SOIC 0 to 70 Quadruple MOSFET Drivers 16-SOIC 0 to 70 Quadruple MOSFET Drivers 16-SOIC 0 to 70
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP SOIC SOIC SOIC SOIC SOIC SOIC
包装说明 DIP, DIP16,.3 SOP, SOP16,.25 SOIC-16 SOP, SOP16,.25 SOP, SOP16,.25 SOP, SOP16,.25 SOP, SOP16,.25
针数 16 16 16 16 16 16 16
Reach Compliance Code compli compli compliant compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅
Factory Lead Time 1 week 6 weeks 6 weeks 6 weeks 1 week - 6 weeks
其他特性 ALSO REQUIRES 24V SUPPLY ALSO REQUIRES 24V SUPPLY ALSO REQUIRES 24V SUPPLY ALSO REQUIRES 24V SUPPLY - - -
高边驱动器 YES YES YES YES - - -
输入特性 STANDARD STANDARD STANDARD GATED - - -
接口集成电路类型 NAND GATE BASED MOSFET DRIVER NAND GATE BASED MOSFET DRIVER NAND GATE BASED MOSFET DRIVER NAND GATE BASED MOSFET DRIVER - - -
JESD-30 代码 R-PDIP-T16 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16 - - -
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 - - -
长度 19.305 mm 9.9 mm 9.9 mm 9.9 mm - - -
功能数量 4 4 4 4 - - -
端子数量 16 16 16 16 - - -
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C - - -
输出特性 TOTEM-POLE TOTEM-POLE TOTEM-POLE TOTEM-POLE - - -
最大输出电流 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A - - -
标称输出峰值电流 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A - - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - -
封装代码 DIP SOP SOP SOP - - -
封装等效代码 DIP16,.3 SOP16,.25 SOP16,.25 SOP16,.25 - - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 260 260 - - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - -
座面最大高度 5.08 mm 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm - - -
最大压摆率 47 mA 47 mA 47 mA 47 mA - - -
最大供电电压 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V - - -
最小供电电压 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V - - -
标称供电电压 5 V 5 V 5 V 5 V - - -
电源电压1-最大 24 V 24 V 24 V 24 V - - -
电源电压1-分钟 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V - - -
电源电压1-Nom 20 V 20 V 20 V 20 V - - -
表面贴装 NO YES YES YES - - -
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR - - -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - - -
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - - -
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING - - -
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm - - -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL - - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - -
断开时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs - - -
接通时间 0.06 µs 0.06 µs 0.06 µs 0.06 µs - - -
宽度 7.62 mm 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm - - -
无线
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