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SKT553/14E

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1200A I(T)RMS, 550000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, HERMETIC SEALED, METAL, CASE B 11A, 4 PIN
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小1MB,共4页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SKT553/14E概述

Silicon Controlled Rectifier, 1200A I(T)RMS, 550000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, HERMETIC SEALED, METAL, CASE B 11A, 4 PIN

SKT553/14E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码BUTTON
包装说明DISK BUTTON, O-MXDB-X4
针数2
制造商包装代码CASE B 11A
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率1000 V/us
最大直流栅极触发电流250 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流500 mA
JEDEC-95代码TO-200AB
JESD-30 代码O-MXDB-X4
最大漏电流50 mA
通态非重复峰值电流8000 A
元件数量1
端子数量4
最大通态电流550000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流1200 A
断态重复峰值电压1400 V
重复峰值反向电压1400 V
表面贴装YES
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

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SKT 553
THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE
Symbol
Conditions
Values
Units
Capsule Thyristors
Thyristors
SKT 553
Features
Typical Applications
SKT
1
03-05-2006 TGR
© by SEMIKRON

SKT553/14E相似产品对比

SKT553/14E SKT553/16E SKT553/04E SKT553/18E
描述 Silicon Controlled Rectifier, 1200A I(T)RMS, 550000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, HERMETIC SEALED, METAL, CASE B 11A, 4 PIN Silicon Controlled Rectifier, 1200A I(T)RMS, 550000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, HERMETIC SEALED, METAL, CASE B 11A, 4 PIN Silicon Controlled Rectifier, 1200A I(T)RMS, 550000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, HERMETIC SEALED, METAL, CASE B 11A, 4 PIN Silicon Controlled Rectifier, 1200A I(T)RMS, 550000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, HERMETIC SEALED, METAL, CASE B 11A, 4 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON
零件包装代码 BUTTON BUTTON BUTTON BUTTON
包装说明 DISK BUTTON, O-MXDB-X4 DISK BUTTON, O-MXDB-X4 DISK BUTTON, O-MXDB-X4 DISK BUTTON, O-MXDB-X4
针数 2 2 2 2
制造商包装代码 CASE B 11A CASE B 11A CASE B 11A CASE B 11A
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 1000 V/us 1000 V/us 1000 V/us 1000 V/us
最大直流栅极触发电流 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V 3 V
最大维持电流 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
JEDEC-95代码 TO-200AB TO-200AB TO-200AB TO-200AB
JESD-30 代码 O-MXDB-X4 O-MXDB-X4 O-MXDB-X4 O-MXDB-X4
最大漏电流 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA
通态非重复峰值电流 8000 A 8000 A 8000 A 8000 A
元件数量 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
最大通态电流 550000 A 550000 A 550000 A 550000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 1200 A 1200 A 1200 A 1200 A
断态重复峰值电压 1400 V 1600 V 400 V 1800 V
重复峰值反向电压 1400 V 1600 V 400 V 1800 V
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR
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