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NSF2250WT1G: 产品描述UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小80KB，共10页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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NSF2250WT1G概述

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

超高频波段, 硅, NPN, 射频小信号晶体管

NSF2250WT1G规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconduc
是否无铅	不含铅
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码	SC-70
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
制造商包装代码	419-04
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.05 A
基于收集器的最大容量	1.2 pF
集电极-发射极最大电压	15 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.202 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	2300 MHz

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NSF2250WT1

NPN Silicon Oscillator and

Mixer Transistor

The NSF2250WT1 NPN silicon epitaxial bipolar transistor is

intended for use in general purpose UHF oscillator and mixer

applications. It is suitable for automotive keyless entry and TV tuner

designs.

The device features stable oscillation and small frequency drift

during changes in the supply voltage and over the ambient temperature

range.

Features

http://onsemi.com

COLLECTOR

BASE

•

High Gain Bandwidth Product: f

= 2000 MHz Minimum

Tightly Controlled h

Range: h

= 120 to 250

Low Feedback Capacitance: C

= 0.45 pF Typical

Pb−Free Package is Available

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Electrostatic Discharge

Symbol

CBO

CEO

ESD

Value

3.0

Units

SOT−323/SC−70

CASE 419

STYLE 3

HBM − Class 1C

MM − Class A

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Total Device Dissipation

= 25°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Lead

Junction and Storage Temperature

Range

Symbol

Max

202 (Note 1)

310 (Note 2)

1.6 (Note 1)

2.5 (Note 2)

618 (Note 1)

403 (Note 2)

280 (Note 1)

332 (Note 2)

−55 to +150

Unit

mW/°C

°C/W

°C

3M = Specific Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation may vary depending upon

manufacturing location.

3M M

MARKING DIAGRAM

qJA

qJL

, T

stg

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

1. FR−4 @ Minimum Pad

2. FR−4 @ 1.0 x 1.0 inch Pad

ORDERING INFORMATION

Device

NSF2250WT1

NSF2250WT1G

Package

SOT−323

(Pb−Free)

Shipping

†

3000/Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2006

April, 2006 − Rev. 5

Publication Order Number:

NSF2250WT1/D

NSF2250WT1G相似产品对比

	NSF2250WT1G	NSF2250WT1	NSF2250WT1_06
描述	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
表面贴装	YES	YES	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
Brand Name	ON Semiconduc	ON Semiconduc	-
是否无铅	不含铅	含铅	-
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	-
零件包装代码	SC-70	SC-70	-
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	CASE 419-04, SC-70, 3 PIN	-
针数	3	3	-
制造商包装代码	419-04	419-04	-
Reach Compliance Code	compli	_compli	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
最大集电极电流 (IC)	0.05 A	0.05 A	-
基于收集器的最大容量	1.2 pF	1.2 pF	-
集电极-发射极最大电压	15 V	15 V	-
配置	SINGLE	SINGLE	-
最小直流电流增益 (hFE)	120	120	-
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-
JESD-609代码	e3	e0	-
湿度敏感等级	1	1	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-
峰值回流温度（摄氏度）	260	240	-
极性/信道类型	NPN	NPN	-
最大功率耗散 (Abs)	0.202 W	0.202 W	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
端子面层	Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
处于峰值回流温度下的最长时间	40	30	-
标称过渡频率 (fT)	2300 MHz	2300 MHz	-

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