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FQP2N60

产品描述2.4A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共9页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准
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FQP2N60在线购买

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FQP2N60概述

2.4A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

FQP2N60规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)140 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)2.4 A
最大漏源导通电阻4.7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)9.6 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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