电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SC5866_1

产品描述Medium power transistor (60V, 2A)
文件大小63KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
下载文档 选型对比 全文预览

2SC5866_1概述

Medium power transistor (60V, 2A)

文档预览

下载PDF文档
2SC5866
Transistor
Medium power transistor (60V, 2A)
2SC5866
Features
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 35ns at I
C
= 2A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. : 200mV at I
C
= 1.0m, I
B
= 0.1A)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SA2094
External dimensions
(Units : mm)
TSMT3
0.95 0.95
(1)
2.8
1.6
1.9
0.4
(3)
(2)
2.9
1.0MAX
0.85
0.16
0.1
(1)Base
(2)Emitter
(3)Collector
0.3
0.6
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : VL
Applications
Low frequency amplifier
High speed switching
Structure
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Packaging specifications
Package
Type
Taping
TL
3000
Code
Basic ordering unit
(pieces)
2SC5866
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
1 Pw=10ms
2 Each terminal mounted on a recommended land.
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
60
60
6
2
4
500
150
−55
to
+150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
1
2
0
0.7
Rev.A
1/3

2SC5866_1相似产品对比

2SC5866_1 2SC5866
描述 Medium power transistor (60V, 2A) Medium power transistor (60V, 2A)

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1449  2318  1835  2244  2909  30  47  37  46  59 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved