Dual N-channel uTrenchMOS ultra low level FET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
Reach Compliance Code | unknow |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
湿度敏感等级 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.3 W |
表面贴装 | YES |
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