STB36NF06L,STB36NF06L pdf中文资料,STB36NF06L引脚图,STB36NF06L电路-Datasheet-电子工程世界

STB36NF06L: 产品描述30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小418KB，共14页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

STB36NF06L概述

30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

30 A, 60 V, 0.05 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

	STB36NF06L	B36NF06	P36NF06L
描述	30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
元件数量	1	1	1
端子数量	2	3	3
端子形式	GULL WING	THROUGH-孔	THROUGH-孔
端子位置	SINGLE	单一的	单一的
晶体管应用	SWITCHING	开关	开关
晶体管元件材料	SILICON	硅	硅
最小击穿电压	-	60 V	60 V
加工封装描述	-	TO-220, 3 PIN	TO-220, 3 PIN
无铅	-	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	-	Yes	Yes
状态	-	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	-	矩形的	矩形的
包装尺寸	-	凸缘安装	凸缘安装
端子涂层	-	锡	锡
包装材料	-	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
结构	-	单一的 WITH BUILT-IN 二极管	单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接	-	DRAIN	DRAIN
通道类型	-	N沟道	N沟道
场效应晶体管技术	-	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	-	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	-	通用电源	通用电源
最大漏电流	-	30 A	30 A
额定雪崩能量	-	225 mJ	225 mJ
最大漏极导通电阻	-	0.0500 ohm	0.0500 ohm
最大漏电流脉冲	-	120 A	120 A

保存参数到FLASH中去: 版主:你好在MSP430F149中的SegmentA 信息存储区,是不是可以供给用户当作为参数使用,我相把修好的参数存入在FLASHA中, 你有没有擦用FLASH和写入FLASH例程,是否能提供给我.最好是用C语言的,...; toutou13 微控制器 MCU

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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