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P36NF06L

产品描述30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小418KB,共14页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

P36NF06L概述

30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

30 A, 60 V, 0.05 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

P36NF06L规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压60 V
加工封装描述TO-220, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流30 A
额定雪崩能量225 mJ
最大漏极导通电阻0.0500 ohm
最大漏电流脉冲120 A

P36NF06L相似产品对比

P36NF06L B36NF06 STB36NF06L
描述 30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
端子数量 3 3 2
端子形式 THROUGH-孔 THROUGH-孔 GULL WING
端子位置 单一的 单一的 SINGLE
元件数量 1 1 1
晶体管应用 开关 开关 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最小击穿电压 60 V 60 V -
加工封装描述 TO-220, 3 PIN TO-220, 3 PIN -
无铅 Yes Yes -
欧盟RoHS规范 Yes Yes -
状态 ACTIVE ACTIVE -
包装形状 矩形的 矩形的 -
包装尺寸 凸缘安装 凸缘安装 -
端子涂层 -
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 -
结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 -
壳体连接 DRAIN DRAIN -
通道类型 N沟道 N沟道 -
场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR -
操作模式 ENHANCEMENT ENHANCEMENT -
晶体管类型 通用电源 通用电源 -
最大漏电流 30 A 30 A -
额定雪崩能量 225 mJ 225 mJ -
最大漏极导通电阻 0.0500 ohm 0.0500 ohm -
最大漏电流脉冲 120 A 120 A -
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