30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
30 A, 60 V, 0.05 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 60 V |
加工封装描述 | TO-220, 3 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | THROUGH-孔 |
端子涂层 | 锡 |
端子位置 | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 30 A |
额定雪崩能量 | 225 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0500 ohm |
最大漏电流脉冲 | 120 A |
P36NF06L | B36NF06 | STB36NF06L | |
---|---|---|---|
描述 | 30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 30 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
端子数量 | 3 | 3 | 2 |
端子形式 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 | GULL WING |
端子位置 | 单一的 | 单一的 | SINGLE |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
晶体管应用 | 开关 | 开关 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | 硅 | 硅 | SILICON |
最小击穿电压 | 60 V | 60 V | - |
加工封装描述 | TO-220, 3 PIN | TO-220, 3 PIN | - |
无铅 | Yes | Yes | - |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes | - |
状态 | ACTIVE | ACTIVE | - |
包装形状 | 矩形的 | 矩形的 | - |
包装尺寸 | 凸缘安装 | 凸缘安装 | - |
端子涂层 | 锡 | 锡 | - |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | - |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | - |
壳体连接 | DRAIN | DRAIN | - |
通道类型 | N沟道 | N沟道 | - |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
操作模式 | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | - |
晶体管类型 | 通用电源 | 通用电源 | - |
最大漏电流 | 30 A | 30 A | - |
额定雪崩能量 | 225 mJ | 225 mJ | - |
最大漏极导通电阻 | 0.0500 ohm | 0.0500 ohm | - |
最大漏电流脉冲 | 120 A | 120 A | - |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved