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MJD2955_02

产品描述10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小139KB,共6页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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MJD2955_02概述

10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

10 A, 60 V, PNP, 硅, 功率晶体管

MJD2955_02规格参数

参数名称属性值
端子数量2
晶体管极性PNP
最大集电极电流10 A
最大集电极发射极电压60 V
加工封装描述塑料, CASE 369C-01, DPAK-3
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层锡 铅
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用放大器
晶体管元件材料
最大环境功耗1.75 W
晶体管类型通用电源
最小直流放大倍数5
额定交叉频率2 MHz

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®
MJD2955
MJD3055
COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
s
s
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX "T4")
ELECTRICALLY SIMILAR TO MJE2955T
AND MJE3055T
3
1
APPLICATIONS
s
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
DESCRIPTION
The
MJD2955
and
MJD3055
form
complementary PNP-NPN pairs. They are
manufactured using Epitaxial Base technology for
cost-effective performance.
DPAK
TO-252
(Suffix "T4")
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
NPN
PNP
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
MJD3055
MJD2955
70
60
5
10
6
20
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
For PNP type voltage and current values are negative.
February 2002
1/6

MJD2955_02相似产品对比

MJD2955_02 MJD2955 MJD3055
描述 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
端子数量 2 2 2
表面贴装 Yes YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 单一的 SINGLE SINGLE
元件数量 1 1 1
晶体管应用 放大器 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
零件包装代码 - TO-252 TO-252
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 DPAK-3
针数 - 3 3
Reach Compliance Code - unknow compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
外壳连接 - COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) - 10 A 10 A
集电极-发射极最大电压 - 60 V 60 V
配置 - SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) - 5 5
JEDEC-95代码 - TO-252 TO-252
JESD-30 代码 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - PNP NPN
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT) - 2 MHz 2 MHz
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