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MJD2955

产品描述10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小139KB,共6页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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MJD2955概述

10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

10 A, 60 V, PNP, 硅, 功率晶体管

MJD2955规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2 MHz
Base Number Matches1

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®
MJD2955
MJD3055
COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
s
s
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX "T4")
ELECTRICALLY SIMILAR TO MJE2955T
AND MJE3055T
3
1
APPLICATIONS
s
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
DESCRIPTION
The
MJD2955
and
MJD3055
form
complementary PNP-NPN pairs. They are
manufactured using Epitaxial Base technology for
cost-effective performance.
DPAK
TO-252
(Suffix "T4")
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
NPN
PNP
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
MJD3055
MJD2955
70
60
5
10
6
20
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
For PNP type voltage and current values are negative.
February 2002
1/6

MJD2955相似产品对比

MJD2955 MJD2955_02 MJD3055
描述 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
表面贴装 YES Yes YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE 单一的 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING 放大器 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
零件包装代码 TO-252 - TO-252
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - DPAK-3
针数 3 - 3
Reach Compliance Code unknow - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
外壳连接 COLLECTOR - COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A - 10 A
集电极-发射极最大电压 60 V - 60 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5 - 5
JEDEC-95代码 TO-252 - TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP - NPN
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT) 2 MHz - 2 MHz
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