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IDT71B221S28JB8

产品描述Cache SRAM, 8KX18, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
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文件大小96KB,共2页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71B221S28JB8概述

Cache SRAM, 8KX18, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

IDT71B221S28JB8规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ,
针数52
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e0
长度19.1262 mm
内存密度147456 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量52
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX18
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度19.1262 mm
Base Number Matches1

IDT71B221S28JB8相似产品对比

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描述 Cache SRAM, 8KX18, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Cache SRAM, 8KX18, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Cache SRAM, 8KX18, BICMOS, PQFP52, PLASTIC, QFP-52 Cache SRAM, 8KX18, BICMOS, PQFP52, PLASTIC, QFP-52 Cache SRAM, 8KX18, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Cache SRAM, 8KX18, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Cache SRAM, 8KX18, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Cache SRAM, 8KX18, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 LCC LCC QFP QFP LCC LCC LCC LCC
包装说明 QCCJ, QCCJ, QFP, QFP, QCCJ, QCCJ, QCCJ, QCCJ,
针数 52 52 52 52 52 52 52 52
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 3A001.A.2.C EAR99 EAR99
JESD-30 代码 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQFP-G52 S-PQFP-G52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 147456 bit 147456 bit 147456 bit 147456 bit 147456 bit 147456 bit 147456 bit 147456 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 18 18 18 18 18 18 18 18
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 52 52 52 52 52 52 52 52
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 125 °C 70 °C 70 °C
组织 8KX18 8KX18 8KX18 8KX18 8KX18 8KX18 8KX18 8KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QCCJ QFP QFP QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER FLATPACK FLATPACK CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 J BEND J BEND GULL WING GULL WING J BEND J BEND J BEND J BEND
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
长度 19.1262 mm 19.1262 mm - - 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm
座面最大高度 4.57 mm 4.57 mm - - 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm
端子节距 1.27 mm 1.27 mm - - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
宽度 19.1262 mm 19.1262 mm - - 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm
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