4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
| R1RW0408D | R1RW0408DGE-2LR | R1RW0408DGE-2PR | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit) | 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit) | 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit) |
| 是否无铅 | - | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | - | SOJ | SOJ |
| 包装说明 | - | SOJ, SOJ36,.44 | SOJ, SOJ36,.44 |
| 针数 | - | 36 | 36 |
| Reach Compliance Code | - | compli | compli |
| ECCN代码 | - | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | - | 12 ns | 12 ns |
| I/O 类型 | - | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-J36 | R-PDSO-J36 |
| 长度 | - | 23.49 mm | 23.49 mm |
| 内存密度 | - | 4194304 bi | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | - | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | - | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | - | 2 | 2 |
| 功能数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 36 | 36 |
| 字数 | - | 524288 words | 524288 words |
| 字数代码 | - | 512000 | 512000 |
| 工作模式 | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | - | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | - | 512KX8 | 512KX8 |
| 输出特性 | - | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | - | SOJ | SOJ |
| 封装等效代码 | - | SOJ36,.44 | SOJ36,.44 |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | - | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | 245 | 245 |
| 电源 | - | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | - | 3.55 mm | 3.55 mm |
| 最大待机电流 | - | 0.0004 A | 0.0004 A |
| 最小待机电流 | - | 2 V | 2 V |
| 最大压摆率 | - | 0.1 mA | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | - | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | - | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | - | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 技术 | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | - | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | - | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 20 | 20 |
| 宽度 | - | 10.16 mm | 10.16 mm |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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