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TSM10N80CI-C0G: 产品描述MOSFET 800V 10A N Channel Power Mosfet; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小524KB，共9页; 制造商Taiwan Semiconductor; 官网地址http://www.taiwansemi.com/

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TSM10N80CI-C0G概述

MOSFET 800V 10A N Channel Power Mosfet

TSM10N80CI-C0G规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Taiwan Semiconductor
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	ITO-220-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	800 V
Id - Continuous Drain Current	9.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance	900 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V
Qg - Gate Charge	53 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
系列 Packaging	Tube
Transistor Type	1 N-Channel
Forward Transconductance - Min	6.3 S
Fall Time	72 ns
Rise Time	62 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1000
Typical Turn-Off Delay Time	256 ns
Typical Turn-On Delay Time	63 ns
单位重量 Unit Weight	0.211644 oz

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TSM10N80

Taiwan Semiconductor

N-Channel Power MOSFET

800V, 9.5A, 1.05Ω

FEATURES

●

Low R

DS(ON)

1.05Ω (Max.)

Low gate charge typical @ 53nC (Typ.)

Improve dV/dt capability

Pb-free plating

Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in

accordance to WEE 2002/96/EC

●

Halogen-free according to IEC 61249-2-21

definition

KEY PERFORMANCE PARAMETERS

PARAMETER

DS(on)

(max)

VALUE

800

1.05

UNIT

Ω

APPLICATION

●

Power Supply

●

Lighting

TO-220

ITO-220

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25°C unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

(Note 1)

Pulsed Drain Current

(Note 2)

Total Power Dissipation @ T

= 25°C

Single Pulsed Avalanche Energy

Single Pulsed Avalanche Current

Operating Junction and Storage Temperature Range

= 25°C

= 100°C

SYMBOL

DTOT

, T

STG

290

267

- 55 to +150

TO-220 ITO-220

800

±30

9.5

5.7

UNIT

°C

THERMAL PERFORMANCE

PARAMETER

Junction to Case Thermal Resistance

Junction to Ambient Thermal Resistance

SYMBOL

ӨJC

ӨJA

TO-220 ITO-220

0.43

62.5

2.6

UNIT

°C/W

Notes:

ӨJA

is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistances. The case thermal reference is defined

at the solder mounting surface of the drain pins. R

ӨJA

is guaranteed by design while R

ӨCA

is determined by the user’s board

design. R

ӨJA

shown below for single device operation on FR-4 PCB with minimum recommended footprint in still air.

Document Number: DS_P0000022

Version: D15

TSM10N80CI-C0G相似产品对比

	TSM10N80CI-C0G	TSM10N80CZ C0
描述	MOSFET 800V 10A N Channel Power Mosfet	MOSFET 800V 10A N Channel Mosfet
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Taiwan Semiconductor	Taiwan Semiconductor
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET
RoHS	Details	Details
技术 Technology	Si	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	ITO-220-3	TO-220-3
Number of Channels	1 Channel	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	800 V	800 V
Id - Continuous Drain Current	9.5 A	9.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance	900 mOhms	900 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	2 V
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V	10 V
Qg - Gate Charge	53 nC	53 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C
Configuration	Single	Single
Channel Mode	Enhancement	Enhancement
系列 Packaging	Tube	Tube
Transistor Type	1 N-Channel	1 N-Channel
Forward Transconductance - Min	6.3 S	6.3 S
Fall Time	72 ns	72 ns
Rise Time	62 ns	62 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1000	1000
Typical Turn-Off Delay Time	256 ns	256 ns
Typical Turn-On Delay Time	63 ns	63 ns
单位重量 Unit Weight	0.211644 oz	0.211644 oz

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