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5HN02C

产品描述Ultrahigh-Speed Switching Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小34KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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5HN02C概述

Ultrahigh-Speed Switching Applications

5HN02C规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.2 A
最大漏极电流 (ID)0.2 A
最大漏源导通电阻2.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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