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TV50C640JB-G

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes 5000W, 64V
产品类别电路保护   
文件大小83KB,共6页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
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TV50C640JB-G概述

ESD Suppressors / TVS Diodes 5000W, 64V

TV50C640JB-G规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Comchip Technology
产品种类
Product Category
ESD Suppressors / TVS Diodes
RoHSIn Transition
PolarityBidirectional
Number of Channels1 Channel
端接类型
Termination Style
SMD/SMT
Breakdown Voltage71.1 V
Working Voltage64 V
Clamping Voltage103 V
Ipp - Peak Pulse Current48.5 A
封装 / 箱体
Package / Case
DO-214AB
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
6.5 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Reel
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000

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SMD Transient Voltage Suppressor
Comchip
SMD Diode Specialist
TV50C110-G Thru. TV50C441-G
Working Peak Reverse Voltage: 11 to 440 Volts
Power Dissipation: 5000 Watts
RoHS Device
Features
-Glass passivated chip.
-5000W peak pulse power capability with a
10/1000
μ
s waveform, repetitive rate (duty cycle ):
0.01%.
-Low leakage.
-Excellent clamping capability.
-Very fast response time.
0.320(8.02)
0.305(7.64)
0.126(3.16)
0.114(2.86)
0.280(7.02)
0.260(6.52)
DO-214AB (SMC)
0.245(6.15)
0.220(5.52)
Mechanical data
-Case: DO-214AB(SMC), molded plastic.
-Terminals: solderable per MIL-STD-750,
method 2026.
-Polarity: Color band denotes cathode end.
-Approx. weight: 0.21 grams
0.103(2.59)
0.079(1.98)
0.060(1.51)
0.030(0.75)
0.008(0.20)
0.000(0.00)
0.012(0.30)
0.006(0.15)
Dimensions in inches and (millimeter)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
O
Characteristics
Peak power dissipation with a 10/1000μS
waveform
Peak pulse current on 10/1000μS waveform
Power dissipation on infinite heatsink at
T
L
=75
O
C
Peak forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave uni-directional only (Note 2)
Maximum instantaneous forward voltage
at 100A for uni-directional only (Note 3)
Operating junction temperature
Storage temperature range
Symbol
P
PP
I
PP
P
D
I
FSM
V
F
T
J
T
STG
Value
5000
See Next Table
6.5
300
3.5/5.0
-55 to +150
-55 to +150
Units
W
A
W
A
V
O
C
C
O
Notes:
1. Non-Repetitive Current pulse per Fig.5 and derated above T
A
=25
C
per Fig .1
2. Measured on 8.3ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per maximum per minute maximum.
3. V
F
<3.5V for devices of V
BR
<200V and V
F
<5.0V for devices of V
BR
>201V
O
REV:C
QW-BTV14
Page 1
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