Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Fairchild Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Fairchild |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数 | 999 |
| 制造商包装代码 | 3LD, TO92L, 8MM TALL BODY |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 10 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 200 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.9 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
| KSC2500BTA | KSC2500BBU | |
|---|---|---|
| 描述 | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Fairchild | Fairchild |
| 零件包装代码 | TO-92 | TO-92L |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数 | 999 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 2 A | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 10 V | 10 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 200 | 200 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.9 W | 0.9 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 150 MHz | 150 MHz |
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