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5962-8606309XA

产品描述UVPROM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
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文件大小59KB,共2页
制造商Waferscale Integration Inc
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5962-8606309XA概述

UVPROM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

5962-8606309XA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Waferscale Integration Inc
包装说明CERAMIC, DIP-28
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

5962-8606309XA相似产品对比

5962-8606309XA 5962-8606309UA
描述 UVPROM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 UVPROM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
厂商名称 Waferscale Integration Inc Waferscale Integration Inc
包装说明 CERAMIC, DIP-28 CERAMIC, DIP-28
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 55 ns 55 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T28 R-GDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 UVPROM UVPROM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 28 28
字数 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 32KX8 32KX8
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL
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