Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD2195

文档预览

2SD2195: 产品描述Transistors; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小64KB，共1页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

2SD2195概述

Transistors

2SD2195规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	2 A
集电极-发射极最大电压	100 V
配置	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	1000
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
JESD-609代码	e2
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867 / 2SD2398

Transistors

Power Transistor (100V , 2A)

2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867 / 2SD2398

!Features

1) Darlington connection for high DC current gain.

2) Built-in resistor between base and emitter.

3) Built-in damper diode.

4) Complements the 2SB1580 / 2SB1316 / 2SB1567.

!External

dimensions

(Units : mm)

2SD2195

1.0

1.5

0.4

4.0

2.5

0.5

(1)

3.0

0.5

(3)

4.5

1.6

(2)

(1) Base(Gate)

(2) Collector(Drain)

(3) Emitter(Source)

1.5

0.4

!Absolute

maximum ratings

(Ta = 25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

2SD2195

Collector

power

dissipation

2SD1980

2SD1867

2SD2398

Junction temperature

Storage temperature

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

Unit

A(DC)

A(Pulse)

∗

W(Tc=25°C)

∗

1.0

0.5

Symbol

CBO

CEO

EBO

(3) (2) (1)

2.3

Limits

100

150

−55 ∼ +150

2SD1980

0.75

0.4

5.5

1.5

0.9

0.65

2.3

5.1

6.5

C0.5

1.5

0.5

1.5

2.5

9.5

Tstg

°C

∗

1 Single pulse Pw

100ms

∗

2 When mounted on a 40 x 40 x 0.7 mm ceramic board.

∗

Printed circuit board, 1.7mm thick, collector plating 100mm

or larger.

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

2SD1867

2.3

W(Tc=25°C)

0.8Min.

(1) Base(Gate)

(2) Collector(Drain)

(3) Emitter(Source)

6.8

2.5

!Packaging

specifications and h

Type

Package

Marking

Code

Basic ordering unit (pieces)

∗

Denotes h

2SD2195 2SD1980 2SD1867 2SD2398

MPT3

CPT3

ATV

TO-220FN

∼

10k 1k

∼

10k 1k

∼

10k 1k

∼

10k

∗

−

T100

TV2

−

1000

2500

500

0.65Max.

1.0

0.9

0.5

(1) (2) (3)

2.54 2.54

14.5

4.4

ROHM : ATV

1.05

0.45

Taping specifications

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

!Circuit

schematic

2SD2398

10.0

4.5

3.2

2.8

15.0

12.0

8.0

5.0

14.0

1.2

1.3

0.8

3.5kΩ

300Ω

B : Base

C : Collector

E : Emitter

2.54

(1) (2) (3)

0.75

2.6

(1) Base(Gate)

(2) Collector(Drain)

(3) Emitter(Source)

ROHM : TO-220FN

!Electrical

characteristics

(Ta = 25°C)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Collector-emitter saturation voltage

DC current

transfer ratio

Output capacitance

∗

Measured using pulse current.

Symbol

CBO

CEO

CBO

EBO

CE(sat)

Cob

Min.

100

−

1000

−

Typ.

−

Max.

−

1.5

10000

−

Unit

µA

−

Conditions

50µA

5mA

100V

1A , I

1mA

2V , I

10V , I

0A , f

1MHz

∗

2SD2195相似产品对比

	2SD2195	2SD1867	2SD2398
描述	Transistors	Transistors	Transistors
是否Rohs认证	符合	符合	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	,	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compli	compli	compli
最大集电极电流 (IC)	2 A	1.5 A	2 A
配置	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	1000	1000	1000
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	2 W	1 W	20 W
表面贴装	YES	NO	NO
Base Number Matches	1	1	1
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	-	ISOLATED
集电极-发射极最大电压	100 V	-	100 V
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	-	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e2	e1	-
元件数量	1	-	1
端子数量	3	-	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-
端子形式	FLAT	-	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	-	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10	-	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON
标称过渡频率 (fT)	-	100 MHz	80 MHz

2SD2195

2SD2195概述

2SD2195规格参数

文档预览

2SD2195相似产品对比

推荐资源