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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD1867
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2SD1867

产品描述Transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小64KB，共1页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SD1867概述

Transistors

2SD1867规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)1.5 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-609代码e1
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867 / 2SD2398
Transistors
Power Transistor (100V , 2A)
2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867 / 2SD2398
!Features
1) Darlington connection for high DC current gain.
2) Built-in resistor between base and emitter.
3) Built-in damper diode.
4) Complements the 2SB1580 / 2SB1316 / 2SB1567.
!External
dimensions
(Units : mm)
2SD2195
1.0
1.5
0.4
4.0
2.5
0.5
(1)
3.0
0.5
(3)
4.5
1.6
(2)
(1) Base(Gate)
(2) Collector(Drain)
(3) Emitter(Source)
1.5
0.4
!Absolute
maximum ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
2SD2195
Collector
power
dissipation
2SD1980
2SD1867
2SD2398
Junction temperature
Storage temperature
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
∗
1
W
∗
2
W(Tc=25°C)
W
∗
3
1.0
0.5
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
(3) (2) (1)
2.3
Limits
100
100
6
2
3
2
1
10
1
2
20
150
−55 ∼ +150
2SD1980
0.75
0.4
5.5
1.5
0.9
0.9
0.65
2.3
P
C
5.1
6.5
C0.5
1.5
0.5
1.5
2.5
9.5
Tj
Tstg
°C
°C
∗
1 Single pulse Pw
=
100ms
∗
2 When mounted on a 40 x 40 x 0.7 mm ceramic board.
∗
3
Printed circuit board, 1.7mm thick, collector plating 100mm
2
or larger.
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SD1867
2.3
W(Tc=25°C)
0.8Min.
(1) Base(Gate)
(2) Collector(Drain)
(3) Emitter(Source)
6.8
2.5
!Packaging
specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
∗
Denotes h
FE
2SD2195 2SD1980 2SD1867 2SD2398
MPT3
CPT3
ATV
TO-220FN
1k
∼
10k 1k
∼
10k 1k
∼
10k 1k
∼
10k
DP
∗
−
−
−
T100
TL
TV2
−
1000
2500
2500
500
0.65Max.
1.0
0.9
0.5
(1) (2) (3)
2.54 2.54
14.5
4.4
ROHM : ATV
1.05
0.45
Taping specifications
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
!Circuit
schematic
C
2SD2398
10.0
4.5
φ
3.2
2.8
15.0
12.0
8.0
5.0
14.0
B
1.2
1.3
0.8
R
1
R
1
3.5kΩ
R
2
300Ω
R
2
E
B : Base
C : Collector
E : Emitter
2.54
2.54
(1) (2) (3)
(1) (2) (3)
0.75
2.6
(1) Base(Gate)
(2) Collector(Drain)
(3) Emitter(Source)
ROHM : TO-220FN
!Electrical
characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Output capacitance
∗
Measured using pulse current.
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Cob
Min.
100
100
−
−
−
1000
−
Typ.
−
−
−
−
−
−
25
Max.
−
−
10
3
1.5
10000
−
Unit
V
V
µA
mA
V
−
pF
Conditions
I
C
=
50µA
I
C
=
5mA
V
CB
=
100V
V
EB
=
5V
I
C
=
1A , I
B
=
1mA
V
CE
=
2V , I
C
=
1A
V
CB
=
10V , I
E
=
0A , f
=
1MHz
∗
∗

2SD1867相似产品对比

2SD1867 2SD2195 2SD2398
描述 Transistors Transistors Transistors
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 , SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 2 A 2 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000 1000
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1 W 2 W 20 W
表面贴装 NO YES NO
Base Number Matches 1 1 1
JESD-609代码 e1 e2 -
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Copper (Sn/Cu) -
标称过渡频率 (fT) 100 MHz - 80 MHz
ECCN代码 - EAR99 EAR99
外壳连接 - COLLECTOR ISOLATED
集电极-发射极最大电压 - 100 V 100 V
JESD-30 代码 - R-PSSO-F3 R-PSFM-T3
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 3
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） - 260 NOT SPECIFIED
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
端子形式 - FLAT THROUGH-HOLE
端子位置 - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - 10 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 - SILICON SILICON

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