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5962-9309101HYX

产品描述EEPROM Module, 512KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32
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文件大小409KB,共12页
制造商White Microelectronics
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5962-9309101HYX概述

EEPROM Module, 512KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32

5962-9309101HYX规格参数

参数名称属性值
厂商名称White Microelectronics
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间150 ns
其他特性10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION
数据保留时间-最小值10
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-CDIP-T32
长度42.4 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型EEPROM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38534 Class H
座面最大高度6.98 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1

5962-9309101HYX相似产品对比

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描述 EEPROM Module, 512KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32 EEPROM Module, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32 EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32 Array/Network Resistor, Bussed, Thin Film, 0.1W, 218000ohm, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 5030, EEPROM Module, 512KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32 EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, CERAMIC, DIP-32 EEPROM Module, 512KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32 EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, CERAMIC, DIP-32 EEPROM Module, 512KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown compliant unknown unknown unknown unknown unknown
端子数量 32 32 32 20 32 32 32 32 32
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMT IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
技术 CMOS CMOS CMOS THIN FILM CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
厂商名称 White Microelectronics - - - - White Microelectronics White Microelectronics White Microelectronics White Microelectronics
最长访问时间 150 ns 150 ns 200 ns - 200 ns 200 ns 300 ns 150 ns 150 ns
其他特性 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION - 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION
数据保留时间-最小值 10 10 10 - 10 10 10 10 10
耐久性 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles - 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles 10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-CDIP-T32 R-CDIP-T32 R-CDIP-T32 - R-CDIP-T32 R-CDIP-T32 R-CDIP-T32 R-CDIP-T32 R-CDIP-T32
内存密度 4194304 bit 1048576 bit 1048576 bit - 4194304 bit 2097152 bit 4194304 bit 2097152 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 EEPROM MODULE EEPROM MODULE EEPROM MODULE - EEPROM MODULE EEPROM MODULE EEPROM MODULE EEPROM MODULE EEPROM MODULE
内存宽度 8 8 8 - 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 - 1 1 1 1 1
字数 524288 words 131072 words 131072 words - 524288 words 262144 words 524288 words 262144 words 524288 words
字数代码 512000 128000 128000 - 512000 256000 512000 256000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
组织 512KX8 128KX8 128KX8 - 512KX8 256KX8 512KX8 256KX8 512KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38534 Class H MIL-PRF-38534 Class H MIL-STD-883 - MIL-PRF-38534 Class H MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO - NO NO NO NO NO
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY - MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms - 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms
Base Number Matches 1 1 1 - 1 1 1 1 -
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