C2MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
Reach Compliance Code | unknow |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码 | e0 |
负载电容(CL) | 15 pF |
逻辑集成电路类型 | D LATCH |
最大I(ol) | 0.0014 A |
位数 | 4 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 16 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
Prop。Delay @ Nom-Su | 65 ns |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
TC40H375P | TC40H375 | TC40H375F | |
---|---|---|---|
描述 | C2MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC | C2MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC | C2MOS DIGITAL INTERGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | - | Toshiba(东芝) |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 | - | SOP, SOP16,.3 |
Reach Compliance Code | unknow | - | unknow |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | - | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
负载电容(CL) | 15 pF | - | 15 pF |
逻辑集成电路类型 | D LATCH | - | D LATCH |
最大I(ol) | 0.0014 A | - | 0.0014 A |
位数 | 4 | - | 4 |
功能数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 16 | - | 16 |
最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | - | SOP |
封装等效代码 | DIP16,.3 | - | SOP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | - | SMALL OUTLINE |
Prop。Delay @ Nom-Su | 65 ns | - | 65 ns |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
表面贴装 | NO | - | YES |
技术 | CMOS | - | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | - | GULL WING |
端子节距 | 2.54 mm | - | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL |
Base Number Matches | 1 | - | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved