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NP0G3D2

产品描述Silicon PNP(NPN) epitaxial planar transistor (Tr1,2)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小90KB,共5页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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NP0G3D2概述

Silicon PNP(NPN) epitaxial planar transistor (Tr1,2)

NP0G3D2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.08 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN AND PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
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