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CAV25128YE-GT3

产品描述EEPROM 128KB SPI SER CMOS EEPROM
产品类别存储    存储   
文件大小172KB,共13页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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CAV25128YE-GT3概述

EEPROM 128KB SPI SER CMOS EEPROM

CAV25128YE-GT3规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明TSSOP-8
针数8
制造商包装代码948AL
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time4 weeks
最大时钟频率 (fCLK)10 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.4 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000003 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE

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CAV25128
128-Kb SPI Serial CMOS
EEPROM
Description
The CAV25128 is a 128−Kb Serial CMOS EEPROM device
internally organized as 16Kx8 bits. This features a 64−byte page write
buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The
device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the
required bus signals are clock input (SCK), data input (SI) and data
output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial
communication with the CAV25128 device. The device features
software and hardware write protection, including partial as well as
full array protection.
On−Chip ECC (Error Correction Code) makes the device suitable
for high reliability applications.
Features
http://onsemi.com
SOIC−8
V SUFFIX
CASE 751BD
Automotive Temperature Grade 1 (−40°C to +125°C)
10 MHz SPI Compatible
2.5 V to 5.5 V Supply Voltage Range
SPI Modes (0,0) & (1,1)
64−byte Page Write Buffer
Additional Identification Page with Permanent Write Protection
Self−timed Write Cycle
Hardware and Software Protection
Block Write Protection
Protect 1/4, 1/2 or Entire EEPROM Array
Low Power CMOS Technology
1,000,000 Program/Erase Cycles
100 Year Data Retention
8−Lead SOIC and TSSOP Packages
This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS
Compliant
V
CC
TSSOP−8
Y SUFFIX
CASE 948AL
PIN CONFIGURATION
CS
SO
WP
V
SS
1
V
CC
HOLD
SCK
SI
SOIC (V), TSSOP (Y)
PIN FUNCTION
Pin Name
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
Function
Chip Select
Serial Data Output
Write Protect
Ground
Serial Data Input
Serial Clock
Hold Transmission Input
Power Supply
SI
CS
WP
HOLD
SCK
V
SS
CAV25128
SO
HOLD
V
CC
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 13 of this data sheet.
Figure 1. Functional Symbol
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2012
October, 2012
Rev. 0
1
Publication Order Number:
CAV25128/D

CAV25128YE-GT3相似产品对比

CAV25128YE-GT3 CAV25128VE-GT3
描述 EEPROM 128KB SPI SER CMOS EEPROM EEPROM 128KB SPI SER CMOS EEPROM
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
包装说明 TSSOP-8 SOIC-8
针数 8 8
制造商包装代码 948AL 751BD
Reach Compliance Code compliant compliant
Factory Lead Time 4 weeks 6 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 10 MHz 10 MHz
数据保留时间-最小值 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4
长度 4.4 mm 4.9 mm
内存密度 131072 bit 131072 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 16KX8 16KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP SOP
封装等效代码 TSSOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 AEC-Q100 AEC-Q100
座面最大高度 1.2 mm 1.75 mm
串行总线类型 SPI SPI
最大待机电流 0.000003 A 0.000003 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE

 
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