电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

CAV25128VE-GT3

产品描述EEPROM 128KB SPI SER CMOS EEPROM
产品类别存储    存储   
文件大小172KB,共13页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

CAV25128VE-GT3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
CAV25128VE-GT3 - - 点击查看 点击购买

CAV25128VE-GT3概述

EEPROM 128KB SPI SER CMOS EEPROM

CAV25128VE-GT3规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SOIC-8
针数8
制造商包装代码751BD
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time6 weeks
最大时钟频率 (fCLK)10 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000003 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
CAV25128
128-Kb SPI Serial CMOS
EEPROM
Description
The CAV25128 is a 128−Kb Serial CMOS EEPROM device
internally organized as 16Kx8 bits. This features a 64−byte page write
buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The
device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the
required bus signals are clock input (SCK), data input (SI) and data
output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial
communication with the CAV25128 device. The device features
software and hardware write protection, including partial as well as
full array protection.
On−Chip ECC (Error Correction Code) makes the device suitable
for high reliability applications.
Features
http://onsemi.com
SOIC−8
V SUFFIX
CASE 751BD
Automotive Temperature Grade 1 (−40°C to +125°C)
10 MHz SPI Compatible
2.5 V to 5.5 V Supply Voltage Range
SPI Modes (0,0) & (1,1)
64−byte Page Write Buffer
Additional Identification Page with Permanent Write Protection
Self−timed Write Cycle
Hardware and Software Protection
Block Write Protection
Protect 1/4, 1/2 or Entire EEPROM Array
Low Power CMOS Technology
1,000,000 Program/Erase Cycles
100 Year Data Retention
8−Lead SOIC and TSSOP Packages
This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS
Compliant
V
CC
TSSOP−8
Y SUFFIX
CASE 948AL
PIN CONFIGURATION
CS
SO
WP
V
SS
1
V
CC
HOLD
SCK
SI
SOIC (V), TSSOP (Y)
PIN FUNCTION
Pin Name
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
Function
Chip Select
Serial Data Output
Write Protect
Ground
Serial Data Input
Serial Clock
Hold Transmission Input
Power Supply
SI
CS
WP
HOLD
SCK
V
SS
CAV25128
SO
HOLD
V
CC
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 13 of this data sheet.
Figure 1. Functional Symbol
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2012
October, 2012
Rev. 0
1
Publication Order Number:
CAV25128/D

CAV25128VE-GT3相似产品对比

CAV25128VE-GT3 CAV25128YE-GT3
描述 EEPROM 128KB SPI SER CMOS EEPROM EEPROM 128KB SPI SER CMOS EEPROM
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
包装说明 SOIC-8 TSSOP-8
针数 8 8
制造商包装代码 751BD 948AL
Reach Compliance Code compliant compliant
Factory Lead Time 6 weeks 4 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 10 MHz 10 MHz
数据保留时间-最小值 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4
长度 4.9 mm 4.4 mm
内存密度 131072 bit 131072 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 16KX8 16KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP TSSOP
封装等效代码 SOP8,.25 TSSOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 AEC-Q100 AEC-Q100
座面最大高度 1.75 mm 1.2 mm
串行总线类型 SPI SPI
最大待机电流 0.000003 A 0.000003 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
西游记外传-4
白龙马走了半天,到了唐僧一行的露营地,见唐僧正在念经。   “报道师傅……”   “奶奶个熊!我说过多少次了?在我念经的时候不要跑过来跟我报告,我心脏不好,血压高!万一你把我给吓死 ......
ssbrida 聊聊、笑笑、闹闹
哈哈,关于“为什么找不到Stellaris M3”的趣味问答
今天兴致来时,说找找M3的资料,结果搜到了一个比较有趣的排比句 Q:为什么找不到使用TI的Stellaris M3 系列的人? A:因为他们比较低调,比如我 产品已经量产了 因为他们刚刚开始 ......
老夫子 微控制器 MCU
STM32F103的C,D,E支持ISP吗?
...
hxxhxx stm32/stm8
为什么需要多寄存器访问指令?
ldr/str每周期只能访问4字节内存,如果需要批量读取、写入内存时太慢,解决方案是stm/ld 举例(uboot start.S 537行) stmia sp, {r0 - r12} 将r0存入sp指向的内存处(假设为0x3000100 ......
灞波儿奔 微控制器 MCU
基于STM8s库函数的硬件I2C调试问题
现自己写了一份基于STM8s库函数的I2C代码,遇到一个问题,在读取数据的时候,在时序的重发起始信号后,SDA线就始终为低了,不知道如何解决 ,还请大神指点!暂时不要叫我用软件模拟 现附上代码 ......
pengbiao1210 单片机
滚动条为什么不动啊?
同样的代码在vc6.0下没有任何问题,而在evc滚动条就没有任何反应,这是为什么啊?...
leo2222 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1613  2761  2729  2105  1549  50  49  26  44  23 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved