Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> TN5325N3-G-P002

TN5325N3-G-P002: 产品描述MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小845KB，共14页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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TN5325N3-G-P002概述

MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

TN5325N3-G-P002规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	compliant
Factory Lead Time	18 weeks
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (ID)	0.215 A
最大漏源导通电阻	7 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	23 pF
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL
参考标准	TS 16949
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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TN5325

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Features

•

Low Threshold (2V Maximum)

High Input Impedance and High Gain

Free from Secondary Breakdown

Low CISS and Fast Switching Speeds

General Description

The TN5325 is a low-threshold, Enhancement-mode

(normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS

structure and a well-proven silicon gate manufacturing

process. This combination produces a device with the

power handling capabilities of bipolar transistors and

the high input impedance and positive temperature

coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of

all MOS structures, this device is free from thermal

runaway and thermally induced secondary breakdown.

Microchip’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications

where very low threshold voltage, high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance

and fast switching speeds are desired.

Applications

•

Logic-level Interfaces (Ideal for TTL and CMOS)

Solid State Relays

Battery-operated Systems

Photo-voltaic Drives

Analog Switches

General Purpose Line Drivers

Telecommunication Switches

Package Types

3-lead SOT-23 (TO-236AB)

(Top view)

3-lead TO-92

(Top view)

3-lead SOT-89 (243AA)

(Top view)

DRAIN

SOURCE

GATE

DRAIN

SOURCE

GATE

SOURCE

DRAIN

GATE

See

Table 2-1, Table 2-2

and

Table 2-3

for pin information.



2017 Microchip Technology Inc.

DS20005709A-page 1

TN5325N3-G-P002相似产品对比

	TN5325N3-G-P002	TN5325K1	TN5325N3-G-P005	TN5325N3-G	TN5325N3-G-P013	TN5325N8-G	TN5325N3	TN5325N3-G-P014	TN5325N3-G-P003
描述	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 250V 7Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	Headers u0026 Wire Housings 4 CKT VERT HEADER	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 400V N-Chan UniFET	MOSFET 250V 7Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
产品种类 Product Category	-	MOSFET	MOSFET	-	MOSFET	-	MOSFET	MOSFET	MOSFET
制造商 Manufacturer	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	-	Microchip(微芯科技)	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
RoHS	-	No	Details	-	Details	-	No	Details	Details
技术 Technology	-	Si	Si	-	Si	-	Si	Si	Si
安装风格 Mounting Style	-	SMD/SMT	Through Hole	-	Through Hole	-	Through Hole	Through Hole	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	-	SOT-23-3	TO-92-3	-	TO-92-3	-	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3
Number of Channels	-	1 Channel	1 Channel	-	1 Channel	-	1 Channel	1 Channel	1 Channel
Transistor Polarity	-	N-Channel	N-Channel	-	N-Channel	-	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	-	250 V	250 V	-	250 V	-	250 V	250 V	250 V
Id - Continuous Drain Current	-	150 mA	215 mA	-	215 mA	-	215 mA	215 mA	215 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	-	7 Ohms	8 Ohms	-	8 Ohms	-	7 Ohms	8 Ohms	8 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	-	20 V	-	-	20 V	-	20 V	20 V	20 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	-	- 55 C	-	-	- 55 C	-	- 55 C	- 55 C	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	-	+ 150 C	-	-	+ 150 C	-	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C
Configuration	-	Single	Single	-	Single	-	Single	Single	Single
Channel Mode	-	Enhancement	Enhancement	-	Enhancement	-	Enhancement	Enhancement	Enhancement
Fall Time	-	15 ns	-	-	25 ns	-	15 ns	25 ns	25 ns
高度 Height	-	0.95 mm	-	-	5.33 mm	-	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm
长度 Length	-	2.9 mm	-	-	5.21 mm	-	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	-	360 mW	-	-	740 mW	-	740 mW	740 mW	740 mW
产品 Product	-	MOSFET Small Signal	-	-	MOSFET Small Signal	-	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal
Rise Time	-	15 ns	-	-	15 ns	-	15 ns	15 ns	15 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	-	3000	2000	-	2000	-	1000	2000	2000
Transistor Type	-	1 N-Channel	1 N-Channel	-	1 N-Channel	-	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	-	25 ns	-	-	25 ns	-	25 ns	25 ns	25 ns
Typical Turn-On Delay Time	-	20 ns	-	-	20 ns	-	20 ns	20 ns	20 ns
宽度 Width	-	1.3 mm	-	-	4.19 mm	-	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm
单位重量 Unit Weight	-	0.000282 oz	0.016000 oz	-	0.016000 oz	-	0.016000 oz	0.016000 oz	0.016000 oz

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