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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> TN5325K1
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TN5325K1

产品描述MOSFET 250V 7Ohm
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小845KB，共14页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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TN5325K1在线购买

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TN5325K1概述

MOSFET 250V 7Ohm

TN5325K1规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category		MOSFET
制造商
Manufacturer		Microchip(微芯科技)
RoHSNo
技术
Technology		Si
安装风格
Mounting Style		SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		SOT-23-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage250 V
Id - Continuous Drain Current150 mA
Rds On - Drain-Source Resistance7 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		+ 150 C
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
Fall Time15 ns
高度
Height		0.95 mm
长度
Length		2.9 mm
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation		360 mW
产品
Product		MOSFET Small Signal
Rise Time15 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		3000
Transistor Type1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time25 ns
Typical Turn-On Delay Time20 ns
宽度
Width		1.3 mm
单位重量
Unit Weight		0.000282 oz

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TN5325
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
Features
•
•
•
•
Low Threshold (2V Maximum)
High Input Impedance and High Gain
Free from Secondary Breakdown
Low CISS and Fast Switching Speeds
General Description
The TN5325 is a low-threshold, Enhancement-mode
(normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS
structure and a well-proven silicon gate manufacturing
process. This combination produces a device with the
power handling capabilities of bipolar transistors and
the high input impedance and positive temperature
coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of
all MOS structures, this device is free from thermal
runaway and thermally induced secondary breakdown.
Microchip’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a
wide range of switching and amplifying applications
where very low threshold voltage, high breakdown
voltage, high input impedance, low input capacitance
and fast switching speeds are desired.
Applications
•
•
•
•
•
•
•
Logic-level Interfaces (Ideal for TTL and CMOS)
Solid State Relays
Battery-operated Systems
Photo-voltaic Drives
Analog Switches
General Purpose Line Drivers
Telecommunication Switches
Package Types
3-lead SOT-23 (TO-236AB)
(Top view)
3-lead TO-92
(Top view)
3-lead SOT-89 (243AA)
(Top view)
DRAIN
DRAIN
SOURCE
GATE
DRAIN
SOURCE
GATE
SOURCE
DRAIN
GATE
See
Table 2-1, Table 2-2
and
Table 2-3
for pin information.
2017 Microchip Technology Inc.
DS20005709A-page 1

TN5325K1相似产品对比

TN5325K1 TN5325N3-G-P005 TN5325N3-G TN5325N3-G-P013 TN5325N8-G TN5325N3 TN5325N3-G-P014 TN5325N3-G-P003 TN5325N3-G-P002
描述 MOSFET 250V 7Ohm MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET Headers u0026 Wire Housings 4 CKT VERT HEADER MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET 400V N-Chan UniFET MOSFET 250V 7Ohm MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
产品种类
Product Category		 MOSFET MOSFET - MOSFET - MOSFET MOSFET MOSFET -
制造商
Manufacturer		 Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) - Microchip(微芯科技) - Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) -
RoHS No Details - Details - No Details Details -
技术
Technology		 Si Si - Si - Si Si Si -
安装风格
Mounting Style		 SMD/SMT Through Hole - Through Hole - Through Hole Through Hole Through Hole -
封装 / 箱体
Package / Case		 SOT-23-3 TO-92-3 - TO-92-3 - TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 -
Number of Channels 1 Channel 1 Channel - 1 Channel - 1 Channel 1 Channel 1 Channel -
Transistor Polarity N-Channel N-Channel - N-Channel - N-Channel N-Channel N-Channel -
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 250 V 250 V - 250 V - 250 V 250 V 250 V -
Id - Continuous Drain Current 150 mA 215 mA - 215 mA - 215 mA 215 mA 215 mA -
Rds On - Drain-Source Resistance 7 Ohms 8 Ohms - 8 Ohms - 7 Ohms 8 Ohms 8 Ohms -
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V - - 20 V - 20 V 20 V 20 V -
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		 - 55 C - - - 55 C - - 55 C - 55 C - 55 C -
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		 + 150 C - - + 150 C - + 150 C + 150 C + 150 C -
Configuration Single Single - Single - Single Single Single -
Channel Mode Enhancement Enhancement - Enhancement - Enhancement Enhancement Enhancement -
Fall Time 15 ns - - 25 ns - 15 ns 25 ns 25 ns -
高度
Height		 0.95 mm - - 5.33 mm - 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm -
长度
Length		 2.9 mm - - 5.21 mm - 5.21 mm 5.21 mm 5.21 mm -
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation		 360 mW - - 740 mW - 740 mW 740 mW 740 mW -
产品
Product		 MOSFET Small Signal - - MOSFET Small Signal - MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal -
Rise Time 15 ns - - 15 ns - 15 ns 15 ns 15 ns -
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		 3000 2000 - 2000 - 1000 2000 2000 -
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel - 1 N-Channel - 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel -
Typical Turn-Off Delay Time 25 ns - - 25 ns - 25 ns 25 ns 25 ns -
Typical Turn-On Delay Time 20 ns - - 20 ns - 20 ns 20 ns 20 ns -
宽度
Width		 1.3 mm - - 4.19 mm - 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm -
单位重量
Unit Weight		 0.000282 oz 0.016000 oz - 0.016000 oz - 0.016000 oz 0.016000 oz 0.016000 oz -

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