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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CAT28C64BH13I12
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CAT28C64BH13I12

产品描述EEPROM (8kx8) 64K 5V 120ns
产品类别存储    存储   
文件大小72KB，共13页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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CAT28C64BH13I12在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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CAT28C64BH13I12概述

EEPROM (8kx8) 64K 5V 120ns

CAT28C64BH13I12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e3
长度11.8 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP28,.53,22
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小32 words
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
切换位YES
宽度8 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
Base Number Matches1

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CAT28C64B
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
FEATURES
s
Fast read access times:
s
Commercial, industrial and automotive
– 90/120/150ns
s
Low power CMOS dissipation:
temperature ranges
s
Automatic page write operation:
– Active: 25 mA max.
– Standby: 100
µ
A max.
s
Simple write operation:
– 1 to 32 bytes in 5ms
– Page load timer
s
End of write detection:
– On-chip address and data latches
– Self-timed write cycle with auto-clear
s
Fast write cycle time:
– Toggle bit
–
DATA
polling
s
100,000 program/erase cycles
s
100 year data retention
– 5ms max.
s
CMOS and TTL compatible I/O
s
Hardware and software write protection
DESCRIPTION
The CAT28C64B is a fast, low power, 5V-only CMOS
Parallel EEPROM organized as 8K x 8-bits. It requires a
simple interface for in-system programming. On-chip
address and data latches, self-timed write cycle with
auto-clear and V
CC
power up/down write protection
eliminate additional timing and protection hardware.
DATA
Polling and Toggle status bits signal the start and
end of the self-timed write cycle. Additionally, the
CAT28C64B features hardware and software write
protection.
The CAT28C64B is manufactured using Catalyst’s
advanced CMOS floating gate technology. It is designed
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data
retention of 100 years. The device is available in JEDEC-
approved 28-pin DIP, TSOP, SOIC, or, 32-pin PLCC
package .
BLOCK DIAGRAM
A5–A12
ADDR. BUFFER
& LATCHES
INADVERTENT
WRITE
PROTECTION
ROW
DECODER
8,192 x 8
EEPROM
ARRAY
32 BYTE PAGE
REGISTER
VCC
HIGH VOLTAGE
GENERATOR
CE
OE
WE
CONTROL
LOGIC
I/O BUFFERS
TIMER
DATA POLLING
AND
TOGGLE BIT
COLUMN
DECODER
I/O0–I/O7
A0–A4
ADDR. BUFFER
& LATCHES
© 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
1
Doc. No. MD-1011, Rev. I

CAT28C64BH13I12相似产品对比

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描述 EEPROM (8kx8) 64K 5V 120ns EEPROM (8kx8) 64K 5V 90ns EEPROM (8kx8) 64K 5V EEPROM (8kx8) 64K 5V 90ns EEPROM (8kx8) 64K 5V 120ns Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.3W, 3600ohm, 100V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, EEPROM (8kx8) 64K 5V 90ns
Reach Compliance Code unknown unknown compliant unknown unknown compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e0 e3
端子数量 28 28 28 28 28 12 32
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C - -40 °C -55 °C -40 °C
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SIP CHIP CARRIER
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS METAL GLAZE/THICK FILM CMOS
端子面层 MATTE TIN Tin (Sn) Tin (Sn) MATTE TIN Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin (Sn)
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 不符合 符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 TSOP DIP SOIC DIP SOIC - QFJ
包装说明 TSOP1, TSSOP28,.53,22 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28 SOP, SOP28,.4 DIP, DIP28,.6 SOP, SOP28,.45 - QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数 28 28 28 28 28 - 32
最长访问时间 120 ns 90 ns 120 ns 90 ns 120 ns - 90 ns
命令用户界面 NO NO NO NO NO - NO
数据轮询 YES YES YES YES YES - YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles - 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 - R-PQCC-J32
长度 11.8 mm 36.695 mm 17.9 mm 36.695 mm 17.9 mm - 13.965 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit - 65536 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM - EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 - 8
功能数量 1 1 1 1 1 - 1
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words - 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000 - 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 - 8KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 DIP SOP DIP SOP - QCCJ
封装等效代码 TSSOP28,.53,22 DIP28,.6 SOP28,.4 DIP28,.6 SOP28,.45 - LDCC32,.5X.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
页面大小 32 words 32 words 32 words 32 words 32 words - 32 words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 6.35 mm 2.65 mm 5.08 mm 2.65 mm - 3.55 mm
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A - 0.0001 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA - 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V
表面贴装 YES NO YES NO YES - YES
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING - J BEND
端子节距 0.55 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm - 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL - QUAD
切换位 YES YES YES YES YES - YES
宽度 8 mm 15.24 mm 7.5 mm 15.24 mm 7.5 mm - 11.425 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms - 5 ms
Base Number Matches 1 1 1 - 1 - 1

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