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CMPD7000E-TR

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching Enhanced Spec Dual Pair Series Config
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小535KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMPD7000E-TR概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching Enhanced Spec Dual Pair Series Config

CMPD7000E-TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
产品种类
Product Category
Diodes - General Purpose, Power, Switching
RoHSDetails
产品
Product
Switching Diodes
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23
Peak Reverse Voltage100 V
Max Surge Current500 mA
If - Forward Current200 mA
ConfigurationDual Series
Recovery Time2 ns
Vf - Forward Voltage1.1 V
Ir - Reverse Current500 nA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
Maximum Diode Capacitance1.5 pF
NumOfPackaging3
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
350 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

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CMPD7000E
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DUAL, IN SERIES
SILICON SWITCHING DIODES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD7000E is
an Enhanced version of the CMPD7000 Dual, Series
Configuration, Ultra-High Speed Switching Diode. This
device is manufactured by the epitaxial planar process,
in an epoxy molded surface mount SOT-23 package,
designed for high speed switching applications.
MARKING CODE: C5CE
SOT-23 CASE
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:
BVR from 100V min to 120V min.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
VF from 1.1V max to 1.0V max.
UNITS
120
200
500
350
-65 to +150
357
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
SYMBOL
VRRM
IO
IFM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
IR
IR
IR
VR=50V
VR=50V, TA=125°C
VR=100V
IR=100µA
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=100mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA
120
0.55
0.67
0.85
150
0.59
0.72
0.91
1.5
2.0
300
100
500
0.65
0.77
1.0
2.6
4.0
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
V
pF
ns
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
Enhanced Specification
R4 (27-January 2010)
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本帖最后由 lpxv 于 2014-5-28 11:16 编辑 是MSP-EXP430F5529LP开发板,就是最近出的5529的lanch pad小红板子,TI官方板子,made in china , 板载仿真器驱动安装失败, 以下是我的流程 1 ......
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