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AT49BV322D-70TU

产品描述2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
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文件大小268KB,共33页
制造商Atmel (Microchip)
标准
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AT49BV322D-70TU在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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AT49BV322D-70TU概述

2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48

2M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 70 ns, PDSO48

AT49BV322D-70TU规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码TSOP1
包装说明12 X 20 MM, GREEN, PLASTIC, MO-142DD, TSOP1-48
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间70 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度33554432 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模8,63
端子数量48
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模8K,64K
最大待机电流0.000025 A
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.65 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm

AT49BV322D-70TU相似产品对比

AT49BV322D-70TU AT49BV322D AT49BV322DT AT49BV322DT-70TU AT49BV322DT-70CU
描述 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
内存宽度 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 48 48 48 48 48
组织 2MX16 2M X 16 2M X 16 2MX16 2MX16
表面贴装 YES Yes Yes YES YES
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING BALL BALL GULL WING BALL
端子位置 DUAL BOTTOM BOTTOM DUAL BOTTOM
是否Rohs认证 符合 - - 符合 符合
厂商名称 Atmel (Microchip) - - Atmel (Microchip) Atmel (Microchip)
零件包装代码 TSOP1 - - TSOP1 BGA
包装说明 12 X 20 MM, GREEN, PLASTIC, MO-142DD, TSOP1-48 - - 12 X 20 MM, GREEN, PLASTIC, MO-142DD, TSOP1-48 7 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, PLASTIC, CBGA-48
针数 48 - - 48 48
Reach Compliance Code unknow - - unknow unknown
ECCN代码 3A991.B.1.A - - 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A
最长访问时间 70 ns - - 70 ns 70 ns
备用内存宽度 8 - - 8 8
启动块 BOTTOM - - TOP TOP
命令用户界面 YES - - YES YES
通用闪存接口 YES - - YES YES
数据轮询 YES - - YES YES
JESD-30 代码 R-PDSO-G48 - - R-PDSO-G48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e3 - - e3 e1
长度 18.4 mm - - 18.4 mm 10 mm
内存密度 33554432 bi - - 33554432 bi 33554432 bit
内存集成电路类型 FLASH - - FLASH FLASH
湿度敏感等级 3 - - 3 3
部门数/规模 8,63 - - 8,63 8,63
字数 2097152 words - - 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 - - 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS - - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - - 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - - -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 - - TSOP1 VFBGA
封装等效代码 TSSOP48,.8,20 - - TSSOP48,.8,20 BGA48,6X8,32
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL - - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - - 260 260
电源 3/3.3 V - - 3/3.3 V 3/3.3 V
编程电压 3 V - - 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES - - YES YES
座面最大高度 1.2 mm - - 1.2 mm 1 mm
部门规模 8K,64K - - 8K,64K 8K,64K
最大待机电流 0.000025 A - - 0.000025 A 0.000025 A
最大压摆率 0.025 mA - - 0.025 mA 0.025 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.65 V - - 2.65 V 2.65 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V - - 3 V 3 V
技术 CMOS - - CMOS CMOS
端子面层 Matte Tin (Sn) - - Matte Tin (Sn) Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子节距 0.5 mm - - 0.5 mm 0.8 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - - 40 40
切换位 YES - - YES YES
类型 NOR TYPE - - NOR TYPE NOR TYPE
宽度 12 mm - - 12 mm 7 mm
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