Datasheet> 器件分类 > 存储> IS42SM32160E-75BL-TR

IS42SM32160E-75BL-TR: 产品描述DRAM 512M, 3.3V, 133Mhz Mobile SDRAM; 产品类别存储; 文件大小583KB，共33页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS42SM32160E-75BL-TR概述

DRAM 512M, 3.3V, 133Mhz Mobile SDRAM

IS42SM32160E-75BL-TR规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	DRAM
RoHS	Details
类型 Type	SDRAM Mobile
Data Bus Width	32 bit
Organization	16 M x 32
封装 / 箱体 Package / Case	BGA-90
Memory Size	512 Mbit
Maximum Clock Frequency	133 MHz
Access Time	6 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.6 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.7 V
Supply Current - Max	120 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C
系列 Packaging	Reel
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
Moisture Sensitive	Yes
工作电源电压 Operating Supply Voltage	3.3 V
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500

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IS42/45SM/RM/VM32160E

32Bits

4Banks Mobile Synchronous DRAM

Description

These IS42/45SM/RM/VM32160E are mobile 536,870,912 bits CMOS Synchronous DRAM organized as 4 banks of 4,194,304 words x 32

bits. These products are offering fully synchronous operation and are referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs

are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve high bandwidth. All input

and output voltage levels are compatible with LVCMOS.

Features



JEDEC standard 3.3V, 2.5V, 1.8V power supply

• Auto refresh and self refresh

• All pins are compatible with LVCMOS interface

• 8K refresh cycle every 16ms (A2 grade) or 64 ms (Industrial,

A1 grade)

• Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 or Full Page for Sequential Burst

- 4 or 8 for Interleave Burst

• Programmable CAS Latency : 2, 3 clocks

• All inputs and outputs referenced to the positive edge of the

system clock

• Data mask function by DQM

• Internal 4 banks operation

• Burst Read Single Write operation

• Special Function Support

- PASR(Partial Array Self Refresh)

- Auto TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)

- Programmable Driver Strength Control

•

Full Strength or 3/4, 1/2, 1/4, 1/8 of Full Strength

- Deep Power Down Mode

• Automatic precharge, includes CONCURRENT Auto Precharge

Mode and controlled Precharge

products at any time without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services

described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any published information

and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or

malfunction of the product can reasonably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or

effectiveness. Products are not authorized for use in such applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to

its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Rev. B.1 | Jan. 2016

www.issi.com

- DRAM@issi.com

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描述	DRAM 512M, 3.3V, 133Mhz Mobile SDRAM	DRAM 512M, 2.5V, 133Mhz Mobile SDRAM	DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 Mobile SDR	DRAM 512M, 2.5V, 133Mhz Mobile SDRAM	DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 Mobile SDRAM	DRAM 512M, 1.8V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDRAM	DRAM 512M, 1.8V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR	DRAM 512M, 2.5V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR	DRAM 512M, 3.3V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR	DRAM 512M, 2.5V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM
RoHS	Details	Details	Details	Details	Details	Details	Details	Details	Details	Details
类型 Type	SDRAM Mobile	SDRAM Mobile	SDRAM Mobile	SDRAM Mobile	SDRAM Mobile	SDRAM Mobile	SDRAM Mobile	SDRAM Mobile	SDRAM Mobile	SDRAM Mobile
Data Bus Width	32 bit	32 bit	32 bit	32 bit	32 bit	32 bit	32 bit	32 bit	32 bit	32 bit
Organization	16 M x 32	16 M x 32	16 M x 32	16 M x 32	16 M x 32	16 M x 32	16 M x 32	16 M x 32	16 M x 32	16 M x 32
封装 / 箱体 Package / Case	BGA-90	BGA-90	BGA-90	BGA-90	BGA-90	BGA-90	BGA-90	BGA-90	BGA-90	BGA-90
Memory Size	512 Mbit	512 Mbit	512 Mbit	512 Mbit	512 Mbit	512 Mbit	512 Mbit	512 Mbit	512 Mbit	512 Mbit
Maximum Clock Frequency	133 MHz	133 MHz	166 MHz	133 MHz	166 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
Access Time	6 ns	6 ns	5.4 ns	6 ns	5.4 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns	6 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.6 V	3 V	1.95 V	3 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	3 V	3.6 V	3 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.7 V	2.3 V	1.7 V	2.3 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	2.3 V	2.7 V	2.3 V
Supply Current - Max	120 mA	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA	120 mA	80 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C	- 40 C	- 40 C	0 C	- 40 C	- 40 C	- 40 C	- 40 C	0 C	0 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 70 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 70 C	+ 70 C
系列 Packaging	Reel	Reel	Tray	Reel	Reel	Reel	Tray	Tray	Tray	Tray
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
Moisture Sensitive	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
工作电源电压 Operating Supply Voltage	3.3 V	2.5 V	1.8 V	2.5 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	2.5 V	3.3 V	2.5 V
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500	2500	240	2500	2500	2500	240	240	240	240

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