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SRT15

产品描述Schottky Diodes & Rectifiers 1A,200V,Std SILASTIC Rect
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小196KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SRT15概述

Schottky Diodes & Rectifiers 1A,200V,Std SILASTIC Rect

SRT15规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明GREEN, PLASTIC, TS-1, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Pure Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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SRT12 thru SRT115
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Low forward voltage drop
- Low power loss, high efficiency
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Schottky Barrier Rectifier
MECHANICAL DATA
Case:
TS-1
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test,
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
0.2g (approximately)
TS-1
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=100℃
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
0.55
0.5
I
R
Cj
R
θJA
T
J
T
STG
- 55 to +125
10
-
110
5
-
80
50
- 55 to +150
- 55 to +150
SRT
12
20
14
20
SRT
13
30
21
30
SRT
14
40
28
40
SRT
15
50
35
50
1
25
0.70
0.80
0.1
-
2
28
O
SRT
16
60
42
60
SRT
19
90
63
90
SRT
110
100
70
100
SRT
115
150
105
150
UNIT
V
V
V
A
A
0.90
V
mA
pF
C/W
O
O
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300
μs,
1% duty cycle
Note 2: Measured at 1.0 MHz and Applied V
R
=4.0 Volts
C
C
Document Number: DS_D1308042
Version: H13
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