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FDS86106

产品描述MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FDS86106概述

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDS86106规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOIC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
制造商包装代码8LD, JEDEC MS-012, .150\"NARROW BODY
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.4 A
最大漏极电流 (ID)3.4 A
最大漏源导通电阻0.105 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)3 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FDS86106相似产品对比

FDS86106
描述 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
Brand Name Fairchild Semiconductor
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Fairchild
零件包装代码 SOIC
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8
制造商包装代码 8LD, JEDEC MS-012, .150\"NARROW BODY
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.4 A
最大漏极电流 (ID) 3.4 A
最大漏源导通电阻 0.105 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 3 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 5 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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