Datasheet> 器件分类 > 存储> IS62WV5128EBLL-45TLI

IS62WV5128EBLL-45TLI: 产品描述SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v~3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS; 产品类别存储; 文件大小722KB，共18页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS62WV5128EBLL-45TLI概述

SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v~3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS

IS62WV5128EBLL-45TLI规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	SRAM
RoHS	Details
Memory Size	4 Mbit
Organization	512 k x 8
Access Time	45 ns
接口类型 Interface Type	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.6 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.2 V
Supply Current - Max	22 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TSOP-32
系列 Packaging	Tray
Memory Type	SDR
类型 Type	Asynchronous
Moisture Sensitive	Yes
NumOfPackaging	1
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	156

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IS62WV5128EALL/EBLL/ECLL

IS65WV5128EBLL/ECLL

512Kx8 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

KEY FEATURES



High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns



CMOS low power operation

– Operating Current: 22 mA (max) at 85°C

– CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C



TTL compatible interface levels

Single power supply

–1.65V-2.2V V

(IS62/65WV5128EALL)

– 2.2V-3.6V V

(IS62/65WV5128EBLL)

– 3.3V +/-5% V

(IS62/65WV5128ECLL)



Three state outputs

Industrial and Automotive temperature support

Lead-free available

APRIL 2017

DESCRIPTION

The

ISSI

IS62/65WV5128EALL/BLL/CLL are high-

speed, 4M bit static RAMs organized as 512K words by

8 bits. It is fabricated using

ISSI's

high-performance

CMOS technology. This highly reliable process coupled

with innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

When

CS#

is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

Easy memory expansion is provided by using Chip

Enable and Output Enable inputs. The active LOW Write

Enable (WE#) controls both writing and reading of the

memory.

The IS62/65WV5128EALL/EBLL are packaged in the

JEDEC standard 32-pin TSOP (TYPE I/II), sTSOP

(TYPE I), SOP and 36-pin mini BGA.



FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512 K x 8

MEMORY

ARRAY

A 0 – A18

DECODER

VDD

GND

I/O 0 – I/O7

I/ O

DATA

CIRCUIT

COLUMN / O

CS #

OE#

WE#

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can

reasonably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such

applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc.-

www.issi.com

Rev. A4

04/18/2017

IS62WV5128EBLL-45TLI相似产品对比

	IS62WV5128EBLL-45TLI	IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR	IS62WV5128EALL-55TLI	IS62WV5128EBLL-45BLI	IS62WV5128EBLL-45HLI-TR	IS62WV5128EBLL-45TLI-TR
描述	SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v~3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS	SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v~3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS	SRAM 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 512Kx8 8.45ns	SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v~3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS	SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v~3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS	SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v~3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM
RoHS	Details	Details	Details	Details	Details	Details
Memory Size	4 Mbit	4 Mbit	4 Mbit	4 Mbit	4 Mbit	4 Mbit
Organization	512 k x 8	512 k x 8	512 k x 8	512 k x 8	512 k x 8	512 k x 8
Access Time	45 ns	45 ns	55 ns	45 ns	45 ns	45 ns
接口类型 Interface Type	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.6 V	3.6 V	2.2 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.2 V	2.2 V	1.65 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V
Supply Current - Max	22 mA	22 mA	22 mA	22 mA	22 mA	22 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	- 40 C	- 40 C	- 40 C	- 40 C	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TSOP-32	TSOP-32	TSOP-32	TFBGA-36	sTSOP-32	TSOP-32
类型 Type	Asynchronous	Asynchronous	High Speed	Asynchronous	Asynchronous	Asynchronous
Moisture Sensitive	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	156	1000	156	480	2000	1500
系列 Packaging	Tray	Reel	Tube	-	Reel	Reel
Memory Type	SDR	SDR	-	SDR	SDR	SDR

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