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BC846B

产品描述Bipolar Transistors - BJT Transistor 200mW
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小227KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BC846B概述

Bipolar Transistors - BJT Transistor 200mW

BC846B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压65 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PDSO-G3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
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