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BCW-66KH-E6327

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小522KB,共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BCW-66KH-E6327概述

Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA

BCW-66KH-E6327规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max45 V
Collector- Base Voltage VCBO75 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage0.45 V
Maximum DC Collector Current1 A
Gain Bandwidth Product fT170 MHz
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Current Gain hFE Max630
高度
Height
1 (Max) mm
长度
Length
2.9 mm
系列
Packaging
Reel
宽度
Width
1.3 mm
Continuous Collector Current800 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min250
NumOfPackaging1
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
500 mW (1/2 W)
资格
Qualification
AEC-Q100
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

BCW-66KH-E6327相似产品对比

BCW-66KH-E6327 BCW 66KF E6327 BCW 66KH B6327
描述 Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45.0 V 100 mA 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
厂商名称 - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
产品种类 - 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
封装 / 箱体 - SOT-23-3 SOT-23-3
晶体管极性 - NPN NPN
配置 - Single Single
集电极—发射极最大电压 VCEO - 45 V 45 V
集电极—基极电压 VCBO - 75 V 75 V
发射极 - 基极电压 VEBO - 5 V 5 V
最大直流电集电极电流 - 800 mA 0.8 A
增益带宽产品fT - 170 MHz 170 MHz
最大工作温度 - + 150 C + 150 C
系列 - BCW66 BCW66
高度 - 1 (Max) mm 1 (Max) mm
长度 - 2.9 mm 2.9 mm
封装 - Reel Reel
宽度 - 1.3 mm 1.3 mm
Pd-功率耗散 - 500 mW (1/2 W) 500 mW (1/2 W)
工厂包装数量 - 3000 30000
单位重量 - 8 mg 8 mg

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