Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA
参数名称 | 属性值 |
Product Attribute | Attribute Value |
制造商 Manufacturer | Infineon(英飞凌) |
产品种类 Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
RoHS | Details |
安装风格 Mounting Style | SMD/SMT |
封装 / 箱体 Package / Case | SOT-23-3 |
Transistor Polarity | NPN |
Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 75 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.45 V |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Gain Bandwidth Product fT | 170 MHz |
最小工作温度 Minimum Operating Temperature | - 65 C |
最大工作温度 Maximum Operating Temperature | + 150 C |
DC Current Gain hFE Max | 630 |
高度 Height | 1 (Max) mm |
长度 Length | 2.9 mm |
系列 Packaging | Reel |
宽度 Width | 1.3 mm |
Continuous Collector Current | 800 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 250 |
NumOfPackaging | 1 |
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation | 500 mW (1/2 W) |
资格 Qualification | AEC-Q100 |
工厂包装数量 Factory Pack Quantity | 3000 |
单位重量 Unit Weight | 0.000282 oz |
BCW-66KH-E6327 | BCW 66KF E6327 | BCW 66KH B6327 | |
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描述 | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45.0 V 100 mA | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR |
厂商名称 | - | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
产品种类 | - | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
封装 / 箱体 | - | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
晶体管极性 | - | NPN | NPN |
配置 | - | Single | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | - | 45 V | 45 V |
集电极—基极电压 VCBO | - | 75 V | 75 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | - | 5 V | 5 V |
最大直流电集电极电流 | - | 800 mA | 0.8 A |
增益带宽产品fT | - | 170 MHz | 170 MHz |
最大工作温度 | - | + 150 C | + 150 C |
系列 | - | BCW66 | BCW66 |
高度 | - | 1 (Max) mm | 1 (Max) mm |
长度 | - | 2.9 mm | 2.9 mm |
封装 | - | Reel | Reel |
宽度 | - | 1.3 mm | 1.3 mm |
Pd-功率耗散 | - | 500 mW (1/2 W) | 500 mW (1/2 W) |
工厂包装数量 | - | 3000 | 30000 |
单位重量 | - | 8 mg | 8 mg |
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