电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BFR-181-E6327

产品描述RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小608KB,共6页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BFR-181-E6327在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BFR-181-E6327 - - 点击查看 点击购买

BFR-181-E6327概述

RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR

BFR-181-E6327规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
RF Bipolar Transistors
RoHSDetails
Transistor TypeBipolar
技术
Technology
Si
Transistor PolarityNPN
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23
资格
Qualification
AEC-Q100
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
高度
Height
1 mm
长度
Length
2.9 mm
类型
Type
RF Bipolar Small Signal
宽度
Width
1.3 mm
NumOfPackaging3
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
175 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

文档预览

下载PDF文档
BFR181
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
For low noise, high-gain broadband amplifiers at
collector currents from 0.5 mA to 12 mA
f
T
= 8 GHz,
NF
min
= 0.9 dB at 900 MHz
Pb-free (RoHS compliant) package
Qualification report according to AEC-Q101 available
ESD
(Electrostatic
discharge)
sensitive device, observe handling precaution!
Type
BFR181
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
1)
T
S
91 °C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Parameter
Junction - soldering point
2)
1
T
Marking
RFs
Pin Configuration
1=B
2=E
Symbol
V
CEO
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
J
T
A
T
Stg
Symbol
R
thJS
3=C
Value
12
20
20
2
20
2
175
150
-65 ... 150
-65 ... 150
Value
335
Package
SOT23
Unit
V
Maximum Ratings
at
T
A
= 25 °C, unless otherwise specified
mA
mW
°C
Unit
K/W
S is measured on the collector lead at the soldering point of the pcb
2
For the definition of
R
thJS
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)
1
2014-04-03

BFR-181-E6327相似产品对比

BFR-181-E6327 BFR 181 E6780
描述 RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistors
RoHS Details Details
Transistor Type Bipolar Bipolar
技术
Technology
Si Si
Transistor Polarity NPN NPN
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C - 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
Configuration Single Single
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23 SOT-23
高度
Height
1 mm 0.95 mm
长度
Length
2.9 mm 2.9 mm
类型
Type
RF Bipolar Small Signal RF Bipolar Small Signal
宽度
Width
1.3 mm 1.3 mm
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
175 mW 175 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000 3000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz 0.000282 oz
系列
Packaging
Reel Reel

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 416  2321  1732  1771  936  44  28  22  35  41 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved