Datasheet> 器件分类 > 存储> IS43R32400E-5BL-TR

IS43R32400E-5BL-TR: 产品描述DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v; 产品类别存储; 文件大小1MB，共31页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS43R32400E-5BL-TR概述

DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v

IS43R32400E-5BL-TR规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	DRAM
RoHS	Details
类型 Type	SDRAM - DDR1
Data Bus Width	32 bit
Organization	4 M x 32
封装 / 箱体 Package / Case	BGA-144
Memory Size	128 Mbit
Maximum Clock Frequency	200 MHz
Access Time	5 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	2.7 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.3 V
Supply Current - Max	320 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C
系列 Packaging	Reel
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
Moisture Sensitive	Yes
NumOfPackaging	1
工作电源电压 Operating Supply Voltage	2.5 V
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1500

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IS43/46R16800E, IS43/46R32400E

4Mx32, 8Mx16

128Mb DDR SDRAM

FEATURES

•

VDD and VDDQ: 2.5V ± 0.2V (-5,-6)

VDD and VDDQ: 2.5V ± 0.1V (-4)

SSTL_2 compatible I/O

Double-data rate architecture; two data transfers

per clock cycle

Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/

received with data, to be used in capturing data

at the receiver

DQS is edge-aligned with data for READs and

centre-aligned with data for WRITEs

Differential clock inputs (CK and CK)

DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

Four internal banks for concurrent operation

Data Mask for write data. DM masks write data

at both rising and falling edges of data strobe

Burst Length: 2, 4 and 8

Burst Type: Sequential and Interleave mode

Programmable CAS latency: 2, 2.5, 3, and 4

Auto Refresh and Self Refresh Modes

Auto Precharge

ras

Lockout supported (t

rap

= t

rcd

)

JANUARY 2014

DEVICE OVERVIEW

ISSI’s 128-Mbit DDR SDRAM achieves high speed data

transfer using pipeline architecture and two data word

accesses per clock cycle. The 134,217,728-bit memory

array is internally organized as four banks of 32Mb to

allow concurrent operations. The pipeline allows Read

and Write burst accesses to be virtually continuous, with

the option to concatenate or truncate the bursts. The

programmable features of burst length, burst sequence

and CAS latency enable further advantages. The device

is available in 16-bit and 32-bit data word size Input

data is registered on the I/O pins on both edges of

Data Strobe signal(s), while output data is referenced

to both edges of Data Strobe and both edges of CLK.

Commands are registered on the positive edges of CLK.

An Auto Refresh mode is provided, along with a Self

Refresh mode. All I/Os are SSTL_2 compatible.

ADDRESS TABLE

Parameter

Configuration

Bank Address

Pins

Autoprecharge

Pins

Row Address

Column

Address

Refresh Count

Com./Ind./A1

4M x 32

1M x 32 x 4

banks

BA0, BA1

A8/AP

4K(A0 – A11)

256(A0 – A7)

8M x 16

2M x 16 x 4

banks

BA0, BA1

A10/AP

4K(A0 – A11)

512(A0 – A8)

OPTIONS

• Configuration(s): 4Mx32, 8Mx16

• Package(s):

144 Ball BGA (x32)

66-pin TSOP-II (x16) and 60 Ball BGA (x16)

• Lead-free package available

• Temperature Range:

Commercial (0°C to +70°C)

Industrial (-40°C to +85°C)

Automotive, A1 (-40°C to +85°C)

Automotive, A2 (-40°C to +105°C)

4K / 64ms

4K / 16ms

4K / 64ms

4K / 16ms

KEY TIMING PARAMETERS

Speed Grade

Max CL = 4

Max CL = 3

Max CL = 2.5

Max CL = 2

-4

250

200

—

-5

—

200

167

133

-6

—

167

133

Units

MHz

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest

version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reason-

ably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications

unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc.

Rev. C

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IS43R32400E-5BL-TR相似产品对比

	IS43R32400E-5BL-TR	IS43R16800E-5TL	IS43R32400E-4BL	IS43R16800E-6TLI-TR	IS43R32400E-4B-TR	IS43R16800E-5TLI	IS43R16800E-6TL	IS43R32400E-4BL-TR	IS43R32400E-5BL
描述	DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v	DRAM 128M (8Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM	DRAM 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR SDRAM	DRAM 128M (8Mx16) 166MHz DDR 2.5v	DRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 250MHz @ CL4, 144-ball BGA (12mmx12mm), T&R	DRAM 128M (8Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM	DRAM 128M (8Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM	DRAM 128M (4Mx32) 250MHz DDR 2.5v	DRAM 128M (4Mx32) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM
类型 Type	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1
Data Bus Width	32 bit	16 bit	32 bit	16 bit	32 bit	16 bit	16 bit	32 bit	32 bit
Organization	4 M x 32	8 M x 16	4 M x 32	8 M x 16	4 M x 32	8 M x 16	8 M x 16	4 M x 32	4 M x 32
封装 / 箱体 Package / Case	BGA-144	TSOP-66	BGA-144	TSOP-66	BGA-144	TSOP-66	TSOP-66	BGA-144	BGA-144
Memory Size	128 Mbit	128 Mbit	128 Mbit	128 Mbit	128 Mbit	128 Mbit	128 Mbit	128 Mbit	128 Mbit
Maximum Clock Frequency	200 MHz	200 MHz	250 MHz	166 MHz	250 MHz	200 MHz	166 MHz	250 MHz	200 MHz
Access Time	5 ns	5 ns	4 ns	6 ns	0.7 ns	5 ns	6 ns	4 ns	5 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
Supply Current - Max	320 mA	240 mA	340 mA	220 mA	340 mA	240 mA	220 mA	340 mA	320 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C	0 C	0 C	- 40 C	0 C	- 40 C	0 C	0 C	0 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C	+ 70 C	+ 70 C	+ 85 C	+ 70 C	+ 85 C	+ 70 C	+ 70 C	+ 70 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
工作电源电压 Operating Supply Voltage	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1500	108	189	1500	1500	108	108	1500	189
RoHS	Details	Details	Details	Details	-	Details	Details	Details	Details
系列 Packaging	Reel	Tray	Tray	Reel	-	Tray	Tray	Reel	Tray
Moisture Sensitive	Yes	Yes	Yes	Yes	-	Yes	Yes	Yes	Yes

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