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IPB144N12N3GATMA1: 产品描述MOSFET N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小769KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IPB144N12N3GATMA1概述

MOSFET N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB144N12N3GATMA1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	18 weeks
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	90 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	120 V
最大漏极电流 (ID)	56 A
最大漏源导通电阻	0.0144 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	224 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IPB144N12N3GATMA1相似产品对比

	IPB144N12N3GATMA1	IPB144N12N3-G	IPI147N12N3 G	IPP147N12N3GXKSA1	IPI147N12N3GAKSA1
描述	MOSFET N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3	MOSFET N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3	MOSFET N-Ch 120V 56A I2PAK-3 OptiMOS 3	MOSFET MV POWER MOS	MOSFET MV POWER MOS
是否无铅	含铅	-	-	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	-	-	符合	符合
零件包装代码	D2PAK	-	-	TO-220AB	TO-262AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	-	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	4	-	-	3	3
Reach Compliance Code	not_compliant	-	-	compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	-	-	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	90 mJ	-	-	90 mJ	90 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	120 V	-	-	120 V	120 V
最大漏极电流 (ID)	56 A	-	-	56 A	56 A
最大漏源导通电阻	0.0144 Ω	-	-	0.0147 Ω	0.0147 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	-	-	TO-220AB	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	-	-	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e3	-	-	e3	e3
元件数量	1	-	-	1	1
端子数量	2	-	-	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	-	-	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	-	FLANGE MOUNT	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	224 A	-	-	224 A	224 A
认证状态	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	-	NO	NO
端子面层	Tin (Sn)	-	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	-	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	-	-	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	-	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	-	SILICON	SILICON

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