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FDMS86105

产品描述MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小415KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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FDMS86105概述

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS86105规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码QFN
包装说明ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN
针数8
制造商包装代码8LD,PQFN,JEDEC MO-240 AA,5.0X6.0MM
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionFairchild FDMS86105 N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 100 V, 8-Pin Power 56
雪崩能效等级(Eas)50 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)56 A
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻0.034 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-240AA
JESD-30 代码R-PDSO-F5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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