MOSFET N Ch 600V 8A Pwr MESH IGBT
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 200 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.32 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| STP13NM50N | STF13NM50N | STB13NM50N-1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N Ch 600V 8A Pwr MESH IGBT | MOSFET N Ch 500V 0.250 Ohm Mdmesh 12A | MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-220AB | TO-220AB | TO-262AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN | ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 200 mJ | 200 mJ | 200 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V | 500 V | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A | 12 A | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A | 12 A | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.32 Ω | 0.32 Ω | 0.32 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB | TO-262AA |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 100 W | 25 W | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A | 48 A | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
