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SI1046X-T1-GE3

产品描述MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI1046X-T1-GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SI1046X-T1-GE3概述

MOSFET 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V

SI1046X-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SC-89
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.606 A
最大漏源导通电阻0.42 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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New Product
Si1046X
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
(Ω)
0.420 at V
GS
= 4.5 V
20
0.501 at V
GS
= 2.5 V
0.660 at V
GS
= 1.8 V
I
D
(A)
a
0.606
0.505
0.15
0.92
Q
g
(Typ.)
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFET: 1.8 V Rated
• ESD Protected: 2000 V
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories
• Battery Operated Systems
• Power Supply Converter Circuits
• Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
SC89-3L
G
1
Marking Code
3
3
D
XX
YY
Lot Traceability
and Date Code
S
2
Top
View
Part # Code
Ordering Information:
Si1046X-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si1046X-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
20
±8
0.606
b, c
0.485
b, c
2.5
0.21
b, c
0.25
b, c
0.16
b, c
- 55 to 150
Unit
V
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
b, d
Notes:
a. Based on T
C
= 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 650 °C/W.
t
5s
Steady State
Symbol
R
thJA
Typical
440
540
Maximum
530
650
Unit
°C/W
Document Number: 74594
S09-1225-Rev. C, 29-Jun-09
www.vishay.com
1
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