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SI1907DL-T1

产品描述MOSFET 12V 0.56A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI1907DL-T1概述

MOSFET 12V 0.56A

SI1907DL-T1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SC-70
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (ID)0.53 A
最大漏源导通电阻0.65 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)888 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON

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Si1907DL
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
(Ω)
0.650 at V
GS
= - 4.5 V
- 12
0.925 at V
GS
= - 2.5 V
1.310 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
± 0.56
± 0.47
± 0.39
FEATURES
• TrenchFET
®
Power MOSFETS: 1.8 V Rated
Pb-free
Available
RoHS*
COMPLIANT
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
S
1
1
6
D
1
M a r k
Code
Marking
in g C o d e
P A X
X
QC
YY
YY
Lot Traceability
LotT
and Date Code
Part # Code
G
1
2
5
G
2
D
2
3
4
S
2
Top View
Ordering Information:
Si1907DL-T1
Si1907DL-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 0.25
0.30
0.16
- 55 to 150
± 0.56
± 0.40
± 1.0
- 0.23
0.27
0.14
W
°C
5 sec
- 12
±8
± 0.53
± 0.38
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
t
5 sec
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
360
400
300
Maximum
415
460
350
°C/W
Unit
Document Number: 71083
S-62689–Rev. C, 01-Jan-07
www.vishay.com
1

SI1907DL-T1相似产品对比

SI1907DL-T1 SI1907DL-T1-E3
描述 MOSFET 12V 0.56A MOSFET DUAL P-CH 1.8V (G-S) TRENCH
是否无铅 含铅 不含铅
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 SC-70 SC-70
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 12 V 12 V
最大漏极电流 (ID) 0.53 A 0.53 A
最大漏源导通电阻 0.65 Ω 0.65 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 888 pF 888 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e0 e3
元件数量 2 2
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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