HEX BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT 14-VQFN -40 to 85
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | QFN |
包装说明 | HVQCCN, LCC14/18,.14SQ,20 |
针数 | 14 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
系列 | AUC |
JESD-30 代码 | S-PQCC-N14 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 3.5 mm |
负载电容(CL) | 15 pF |
逻辑集成电路类型 | BUFFER |
最大I(ol) | 0.009 A |
湿度敏感等级 | 2 |
功能数量 | 6 |
输入次数 | 1 |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
输出特性 | OPEN-DRAIN |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HVQCCN |
封装等效代码 | LCC14/18,.14SQ,20 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
包装方法 | TR |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.2/2.5 V |
最大电源电流(ICC) | 0.01 mA |
Prop。Delay @ Nom-Su | 3.5 ns |
传播延迟(tpd) | 3.5 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
座面最大高度 | 1 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 0.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3.5 mm |
SN74AUC07RGYR | SN74AUC07RGYRG4 | |
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描述 | HEX BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT 14-VQFN -40 to 85 | HEX BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT 14-VQFN -40 to 85 |
Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | QFN | QFN |
包装说明 | HVQCCN, LCC14/18,.14SQ,20 | HVQCCN, LCC14/18,.14SQ,20 |
针数 | 14 | 14 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
系列 | AUC | AUC |
JESD-30 代码 | S-PQCC-N14 | S-PQCC-N14 |
JESD-609代码 | e4 | e4 |
长度 | 3.5 mm | 3.5 mm |
负载电容(CL) | 15 pF | 15 pF |
逻辑集成电路类型 | BUFFER | BUFFER |
最大I(ol) | 0.009 A | 0.005 A |
湿度敏感等级 | 2 | 2 |
功能数量 | 6 | 6 |
输入次数 | 1 | 1 |
端子数量 | 14 | 14 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
输出特性 | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HVQCCN | HVQCCN |
封装等效代码 | LCC14/18,.14SQ,20 | LCC14/18,.14SQ,20 |
封装形状 | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
包装方法 | TR | TAPE AND REEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
电源 | 1.2/2.5 V | 1.2/2.5 V |
Prop。Delay @ Nom-Su | 3.5 ns | 3.5 ns |
传播延迟(tpd) | 3.5 ns | 3.5 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
施密特触发器 | NO | NO |
座面最大高度 | 1 mm | 1 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 0.8 V | 0.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V | 1.2 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3.5 mm | 3.5 mm |
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