2015-08-21
Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Version 1.2
BPY 62
Features:
•
Spectral range of sensitivity:
(typ) 400 ... 1100
nm
•
Package:
Metal Can (TO-18), hermetically sealed
•
•
•
•
Special:
Base connection
Suitable up to 125 °C
HIgh photosensitivity
Available in groups
Besondere Merkmale:
•
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
(typ) 400 ... 1100 nm
•
Gehäuse:
Metall Gehäuse (TO-18), hermetisch
dicht
•
Besonderheit:
Basisanschluss
•
Geeignet bis 125 °C
•
Hohe Fotoempfindlichkeit
•
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
•
Lichtschranken
•
Industrieelektronik
•
Messen / Steuern / Regeln
Applications
Photointerrupters
•
•
Industrial electronics
•
For control and drive circuits
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
λ = 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
[µA]
BPY 62
BPY 62-3/4
BPY 62-4
Note:
Anm.:
Ordering Code
Bestellnummer
≥ 500
800 ... 2500
1250 ... 2500
Q60215Y0062
Q62702P5198
Q60215Y1113
Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
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1
Version 1.2
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector current
Kollektorstrom
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
Emitter-collector voltage
Emitter-Kollektor-Spannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
Half angle
Halbwinkel
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(λ = 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CB
= 5 V)
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(E
V
= 1000 lx, Std. Light A, V
CB
= 5 V)
Capacitance
Kapazität
(V
CE
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
(typ)
(typ)
(typ)
(typ)
(typ)
(typ)
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
10%
A
LxW
ϕ
I
PCB
Values
Werte
830
(typ) 400
... 1100
0.11
(typ) 0.55 x
0.55
±8
5.5
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
CE
I
C
I
CS
Values
Werte
-40 ... 125
35
100
200
BPY 62
Unit
Einheit
°C
V
mA
mA
V
EC
P
tot
7
200
V
mW
Unit
Einheit
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
μA
(typ)
I
PCB
17
μA
(typ)
C
CE
7.5
pF
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2
Version 1.2
BPY 62
Parameter
Bezeichnung
Capacitance
Kapazität
(V
CB
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V
EB
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Dark current
Dunkelstrom
(V
CE
= 20 V, E = 0)
(typ)
Symbol
Symbol
C
CB
Values
Werte
14
Unit
Einheit
pF
(typ)
C
EB
19
pF
(typ (max)) I
CE0
1 (≤ 50)
nA
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3
Version 1.2
Grouping
(T
A
= 25 °C, λ = 950 nm)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Photocurrent
Min Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, min
[µA]
BPY 62-2
BPY 62-3
BPY 62-4
BPY 62-5
Group
Gruppe
500
800
1250
2000
BPY 62
Max Photocurrent Typ Photocurrent Rise and fall time
Max Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, max
[µA]
1000
1600
2500
Typ Fotostrom
E
V
= 1000 lx, Std.
Light A, V
CE
= 5 V
I
PCE
[µA]
2400
3800
5800
9600
Anstiegs- und
Abfallzeit
I
C
= 1 mA, V
CC
= 5
V, R
L
= 1 kΩ
t
r
, t
f
[µs]
5
7
9
12
Current gain
Stromverstärkung
E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
I
PCE
/ I
PCB
140
220
340
550
Collector-emitter saturation
voltage
Kollektor-Emitter
Sättigungsspannung
I
C
= I
PCEmin
x 0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
[mV]
BPY 62-2
BPY 62-3
BPY 62-4
BPY 62-5
Note.:
Anm.:
150
150
160
180
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
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Version 1.2
Relative Spectral Sensitivity
1)
page 11
Relative spektrale Empfindlichkeit
1)
Seite 11
S
rel
= f(λ)
100
OHF04043
BPY 62
Photocurrent
1)
page 11
Fotostrom
1)
Seite 11
I
PCE
= f(E
e
),
V
CE
= 5 V
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 500 600 700 800 900
nm 1100
λ
Collector Current
1)
page 11
Kollektorstrom
1)
Seite 11
I
C
= f(V
CE
), I
B
= Parameter
Collector Current
1)
page 11
Kollektorstrom
1)
Seite 11
I
C
= f(V
CE
), I
B
= Parameter
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5
NXP MCU
京公网安备 11010802033920号
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