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AD800-8-S1

产品描述Photodiodes High Speed Si APD 800um Active Area
产品类别光电子/LED   
文件大小372KB,共2页
制造商First Sensor
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AD800-8-S1概述

Photodiodes High Speed Si APD 800um Active Area

AD800-8-S1规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
First Sensor
产品种类
Product Category
Photodiodes
RoHSDetails
产品
Product
Avalanche Photodiodes
封装 / 箱体
Package / Case
TO-52-S1
安装风格
Mounting Style
Through Hole
Peak Wavelength410 nm
Dark Current1 nA
Vr - Reverse Voltage100 V
Rise Time0.28 ns
Half Intensity Angle Degrees64 deg
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
高度
Height
5.2 mm
长度
Length
5.4 mm
系列
Packaging
Bulk
类型
Type
Silicon Avalanche Photodiode
宽度
Width
5.4 mm
Noise Equivalent Power - NEP1E-14 W/sqrt Hz
NumOfPackaging1
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
100 mW
Photocurrent2 uA
Responsivity25 A/W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10

AD800-8-S1相似产品对比

AD800-8-S1 AD2500-8-TO5I
描述 Photodiodes High Speed Si APD 800um Active Area Photodiodes High Speed Si APD 2520um Active Area
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
First Sensor First Sensor
产品种类
Product Category
Photodiodes Photodiodes
RoHS Details Details
产品
Product
Avalanche Photodiodes Avalanche Photodiodes
封装 / 箱体
Package / Case
TO-52-S1 TO-5i
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole
Peak Wavelength 410 nm 800 nm
Dark Current 1 nA 20 nA
Vr - Reverse Voltage 100 V 120 V
Rise Time 0.28 ns 1.5 ns
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C + 100 C
高度
Height
5.2 mm 4.2 mm
长度
Length
5.4 mm 9.2 mm
系列
Packaging
Bulk Bulk
类型
Type
Silicon Avalanche Photodiode NIR Enhanced Response Avalanche Photodiode
宽度
Width
5.4 mm 9.2 mm
Noise Equivalent Power - NEP 1E-14 W/sqrt Hz 30E-14 W/sqrt Hz
NumOfPackaging 1 1
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
100 mW 100 mW
Photocurrent 2 uA 1 uA
Responsivity 25 A/W 50 A/W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10 10

 
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