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CMPD7006C

产品描述SURFACE MOUNT VERY HIGH VOLTAGE SILICO SWITCHING DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPD7006C概述

SURFACE MOUNT VERY HIGH VOLTAGE SILICO SWITCHING DIODE

CMPD7006C规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.35 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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E
PR
LIM
Y
CMPD7006
AR
IN
CMPD7006A
CMPD7006C
CMPD7006S
Central
TM
Semiconductor Corp.
SURFACE MOUNT
VERY HIGH VOLTAGE
SILICON SWITCHING DIODE
DESCRIPTION:
The Central Semiconductor CMPD7006,
CMPD7006A, CMPD7006C and CMPD7006S
are silicon switching diodes with various diode
configurations, manufactured by the epitaxial
planar process and packaged in an epoxy
molded SOT-23 surface mount case. These
devices are designed for applications requiring
high voltage switching diodes.
SOT-23 CASE
The following configurations are available:
CMPD7006
CMPD7006A
CMPD7006C
CMPD7006S
SINGLE
DUAL, COMMON ANODE
DUAL, COMMON CATHODE
DUAL, IN SERIES
MARKING
MARKING
MARKING
MARKING
CODE:
CODE:
CODE:
CODE:
C7006
C706A
C706C
C706S
MAXIMUM RATINGS PER DIODE:
(TA=25°C)
Continuous Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Forward Surge Current, tp=1.0 µs
Forward Surge Current, tp=1.0 s
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
P
E
R
I
L
IN
M
VRRM
IF
IFRM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
IFSM
SYMBOL
VR
Y
R
A
600
600
100
300
4.0
1.0
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IR
VR=480V
7.0
IR
VR=480V, TA=150°C
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
IR=1.0µA
IF=10mA
IF=50mA
IF=100mA
VR=0V, f=1.0 MHz
IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA
600
675
0.88
1.04
1.16
MAX
100
100
1.0
1.2
1.4
5.0
500
UNITS
nA
µA
V
V
V
V
pF
ns
R0 (8-December 2003)

CMPD7006C相似产品对比

CMPD7006C CMPD7006 CMPD7006A CMPD7006S
描述 SURFACE MOUNT VERY HIGH VOLTAGE SILICO SWITCHING DIODE SURFACE MOUNT VERY HIGH VOLTAGE SILICO SWITCHING DIODE SURFACE MOUNT VERY HIGH VOLTAGE SILICO SWITCHING DIODE SURFACE MOUNT VERY HIGH VOLTAGE SILICO SWITCHING DIODE
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3 R-PDSO-G3 PLASTIC PACKAGE-3 R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code not_compliant _compli _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS SINGLE COMMON ANODE, 2 ELEMENTS SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 2 1 2 2
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 600 V 600 V 600 V
最大反向恢复时间 0.5 µs 0.5 µs 0.5 µs 0.5 µs
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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