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2SB1188

产品描述Epitaxial Planar PNP Transistors
文件大小89KB,共5页
制造商Weitron Technology
官网地址http://weitron.com.tw/
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2SB1188概述

Epitaxial Planar PNP Transistors

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2SB1188
Epitaxial Planar PNP Transistors
SOT-89
1
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
2
3
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25
%
)
Rating
Symbol
Limits
Unit
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature, Storage Temperature
* Single pulse Pw = 100ms
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
P
C
T j, Tstg
-40
-32
-5
-2
-3
0.5
150, -55 to +150
Vdc
Vdc
Vdc
A(DC)
A (Pulse)*
W
%
C
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
%
unless otherwise noted )
Parameter
Symbol
Collector-Base Breakdown Voltage (Ic=-50uA)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Ic=-1mA)
Emitter-Base Breakdown Voltage (I
E
=-50uA)
Collector Cutoff Current (V
CB
=-20)
Emitter Cutoff Current (V
EB
=-4V)
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
ICBO
IEBO
Min
Typ
-
-
-
-
-
Max
-
-
-
Unit
-40
-32
-5
-
-
V
V
V
uA
uA
-1
-1
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