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SIGC20T120L

产品描述IGBT3 Chip
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共4页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SIGC20T120L概述

IGBT3 Chip

SIGC20T120L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
针数2
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值6.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUUC-N2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)640 ns
标称接通时间 (ton)120 ns

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SIGC20T120L
IGBT Chip
FEATURES:
1200V Trench + Field Stop technology
120µm chip
low turn-off losses
short tail current
positive temperature coefficient
easy paralleling
3
This chip is used for:
power module
C
Applications:
drives
G
E
Chip Type
SIGC20T120L
V
CE
1200V
I
Cn
15A
Die Size
4.41 x 4.47 mm
2
Package
sawn on foil
Ordering Code
Q67050-
A4268-A101
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
Emitter pad size
Gate pad size
Area total / active
Thickness
Wafer size
Flat position
Max.possible chips per wafer
Passivation frontside
Emitter metallization
Collector metallization
Die bond
Wire bond
Reject Ink Dot Size
Recommended Storage Environment
4.41 x 4.47
2.99 x 2.9
1.1 x 0.7
19.7 / 12.8
120
150
0
748 pcs
Photoimide
3200 nm AlSiCu
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
electrically conductive glue or solder
Al, <500µm
0.65mm ; max 1.2mm
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
mm
µm
mm
grd
2
mm
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L7631B, Edition 2, 04.09.03

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