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1N5811R

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小254KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N5811R概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon,

1N5811R规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流6 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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